武汉磁通门电压传感器价格

PWM波可以由DSP芯片内部的事件管理器EVA或EVB产生，在DSP内部，事件管理器EVA和EVB是完全相同的两个模块。它们都有3个比较单元，每一个比较单元都可以产生一对互补的PWM波，一共可以提供6路PWM波。在此选用其中的4路来驱动逆变桥上的开关管。4路PWM波中选用一路作为基准，将比较寄存器设置为增减模式，在下溢中断和周期中断的时候分别重置比较寄存器的值，并且所重置的这两个数值之和为比较寄存器的周期值。设置好PWM波输出的其他必须配置就可以产生一对互补的PWM波作为超前桥臂上的驱动。下面主要问题是如何产生另一对具有相位差的互补的PWM波。基于对DSP的研究，在此采用全比较单元的直接移相脉冲生产方法。我们知道一个电容器由两个导体(或两个板)组成。武汉磁通门电压传感器价格

从持续时间的角度上分类，强磁场可以分为脉冲强磁场和稳态强磁场。脉冲强磁场可以产生很高的磁场，能为一些科学实验提供所需要的磁场环境。但磁场持续的时间短，且磁场的强度在短时刻内是脉冲尖峰状态。稳态强磁场是持续时间相对较长的磁场，并且磁场的强度时保持相对稳定的状态，但目前的技术条件场强无法做到很高，稳态磁场强度的建设投资大、需求的电源容量大、冷却系统大并且维护成本高。为了一些同时对磁场强度和稳定度都有很高要求的科学实验，我们就需要提供**度、高稳定度的磁场环境，于是结合到上述两种磁场产生的特点，科学家们提出了脉冲平顶磁场。这种磁场在满足磁场强度高的条件下兼顾磁场的稳定性。另外，脉冲平顶磁场可以降低测量的干扰，减小样品产生的涡流。总之，脉冲平顶磁场间距脉冲磁场和稳恒磁场的优点，为一些特殊要求的实验提供了研究的环境。南京大量程电压传感器厂家供应传感器是能够感知或识别特定类型的电信号或光信号并对其作出反应的装置。

整个电路的控制**终都归结于对PWM波的控制，对于移相全桥电路来说，**根本的问题也归结于如何产生可以自由控制相位差的PWM脉冲。DSP产生脉冲一般是由事件管理器的PWM口和DSP模块中的数字I/O口实现。由于在移相控制中，四路PWM波要么互补要么有对应一定角度的相位差关系，其中PWM波互补的问题很好解决，但为了方便的控制移相角的大小，须得选用四路有耦合关系的PWM输出口，以减小程序编写的复杂性和避免搭建复杂的外围电路。根据移相全桥的控制策略，四路PWM波须得满足：1）同一桥臂上两波形形成带有死区时间的互补；2）对角桥臂上的驱动波有一个可调的移相角度，移相角的大小与一个固定的参数直接相关以便于实现动态的控制。

A/D模块无疑是将我们采集到的模拟信号转换成DSP模块可以识别和处理的数字信号，市场上可选用的A/D芯片种类很多。我们选用芯片须得根据工程实际。选用 A/D 芯片我们重点关注如下几点： 1）精 度（对应 AD 的分辨率），如果工程中对信号的精度要求很高，则必须选用分辨率很 高的 AD，即位数较多的 AD，例如 16 位 AD 对应的分辨率为0.015  10  3    。前面提及过DSP芯片本身带有内部AD，但由于其为12位AD（对应分辨率为0.224103），精度达不到本实验要求；2）输入信号类型，输入信号型号指采集到的信号是单端信号还是差分信号，是单极性信号还是双极性信号；3）AD转换速率。选用AD时须考虑转换速率和采集信号之间的关系，如果转换速率不匹配则无法完成该带宽域内的信号转换。AD的转换速率也直接影响到整个系统的动态性能。；4）输入信号的量程。每个AD芯片都有自身输入信号的量程，只有在量程内的输入信号才能完成转换。选用好AD后必须通过前端信号采集电路将输入信号调节至AD转换量程内。本项目中选用的AD型号为MAX125，该AD是14位AD，输入量程为5V~5V，单端双极性极性输入。基于电光效应，在电场或电压的作用下透过某些物质的光会发生双折射。

图3-3所示一次为开关管1（**超前桥臂）的驱动波形和电压波形，图中横纵坐标分别为时间和电压值。开通过程：由图可见当开关驱动波形由低电平变为高低前，开关管两端的电压已经为0，故而开关管的开通是零电压开通。关断过程：由于开关并联有谐振电容，在关断开关管时，开关管端电压不会突变，而是随着谐振电容缓慢上升，故而开关管的关断是软关断。图3-4所示为开关管4（**滞后桥臂）的驱动波形和电压波形，图中横纵坐标分别为时间和电压值。同超前桥臂上开关管一样，滞后桥臂上开关管实现了零开通和软关断。在参数调试过程中，滞后桥臂的软开关对参数更加敏感。谐振电容值过大或者谐振电感值过小可能就无法满足滞后桥臂上开关管的零开通。对于电容器，电容和阻抗(电容电抗)总是成反比的。南京大量程电压传感器厂家供应

也就是说，一些电压传感器可以提供正弦或脉冲列作为输出。武汉磁通门电压传感器价格

本项目逆变桥臂上有4个开关管，对应需要四个**的驱动电路。可选用的驱动电路有很多种，以驱动电路和IGBT的连接方式可以将驱动电路分为直接驱动、隔离驱动和集成化驱动。在此我们采用集成化驱动，因为相对于分立元件构成的驱动电路，集成化驱动电路集成度更高、速度快、抗干扰强、有保护功能模块，并且也减小了设计的难度[25]。**终选用集成驱动电路M57962，如图4-3和4-4所示为M57962L驱动电路和驱动信号放大效果图。M57962 是 N 沟道大功率 IGBT 驱动电路，可以驱动 1200V/400A 大功率 IGBT， 采用快速型光耦合器实现电气隔离，输入输出隔离电压高达 2500V。武汉磁通门电压传感器价格