企业商机
电压传感器基本参数
  • 品牌
  • 纳吉伏
  • 型号
  • VTD系列电压传感器/VTC系列电压传感器
  • 输出信号
  • 模拟型,开关型,膺数字型
  • 制作工艺
  • 集成,薄膜
  • 材质
  • 金属,聚合物,陶瓷
  • 材料物理性质
  • 导体,磁性材料
  • 材料晶体结构
  • 单晶,多晶
  • 加工定制
  • 精确度
  • 0.05
  • 额定电压
  • ±15
  • 线性度
  • 0.02
  • 产地
  • 无锡
  • 厂家
  • 无锡纳吉伏科技有限公司
  • 温度稳定性
  • 10ppm/K
  • 测量带宽
  • 2.2MHz
  • 时间稳定性
  • 0.02%/year
  • 输入输出变比
  • 可定制
电压传感器企业商机

为了得到高精度、可控、快速反应的电源,首先想到的解决方案便是利用电力电子变换器。电力电子技术经过几十年的发展,已经成为电力参数变换和控制的基本手段,尤其伴随着新型电力电子器件的出现和发展,以及高频化、软开关和集成化技术的发展应用,电力电子技术可以满足各种类型的电源要求。直流变换器是电力电子变换器的重要的一部分, 电力电子中 DC/DC 变换的方案 也有很多。按照是否具有电气隔离的方式分类, 直流变换器可以分为隔离型和非隔 离型两类。隔离型的直流变换器也可以看作为是非隔离型变换器加入变压器转变而 来的。分为电阻分压式和电容分压式,将初级电压直接转化为测量仪表可用的低压信号。广州大量程电压传感器设计标准

移相全桥变换器在工作时,通过与开关管并联的谐振电容和原边谐振电感谐振,来实现开关管的软开关。主电路拓扑结构如图2-4所示。图中T1和T2为超前臂开关管,T3和T4为滞后臂开关管;C1和C2分别为T1和T2的并联谐振电容,且C1=C2=Clead;C3和C4分别为T3和T4的并联谐振电容,且C3=C4=Clag;D1~D4分别为T1~T4的反并联二极管;Lr为原边谐振电感;TM为高频变压器;DR1~DR4为输出整流二极管;Lf、L、Ca和Cb分别为输出滤波电感和滤波电容;Z为输出负载。成都粒子加速器电压传感器服务电话而折射两光波之间的相位差与外施电压成正比。

现假设PWM1和PWM2均设置为高电平有效,下溢中断发生时,赋值CMPR1=0,CMPR1=a。下溢中断子程序结束后返回主程序,计数寄存器T1CNT从0开始计数,由于CMPR1=0,发生比较中断,PWM1从低电平变为高电平。计数寄存器T1CNT继续增加至a时,PWM2从低电平变为高电平。由此,PWM2和PWM1之间的移相角δ为,所以改变移相角度实际上改变CMPR2的赋值a。20MHz对应50ns。选择开关频率为20KHz,对应的定时器T1设为连续增减计数模式,则T1的周期寄存器的值500.比较大移相角为180度,对应的数字延迟量Td为500,可得移相精度180/500=0.36。

整个电路的控制**终都归结于对PWM波的控制,对于移相全桥电路来说,**根本的问题也归结于如何产生可以自由控制相位差的PWM脉冲。DSP产生脉冲一般是由事件管理器的PWM口和DSP模块中的数字I/O口实现。由于在移相控制中,四路PWM波要么互补要么有对应一定角度的相位差关系,其中PWM波互补的问题很好解决,但为了方便的控制移相角的大小,须得选用四路有耦合关系的PWM输出口,以减小程序编写的复杂性和避免搭建复杂的外围电路。根据移相全桥的控制策略,四路PWM波须得满足:1)同一桥臂上两波形形成带有死区时间的互补;2)对角桥臂上的驱动波有一个可调的移相角度,移相角的大小与一个固定的参数直接相关以便于实现动态的控制。电压传感器按照极性分可以分为直流电压传感器和交流电压传感器。

图3-6和图3-7所示分别为输出端电压值和电压纹波(图中横纵坐标分别为时间和电压),经过PID闭环反馈后,输出电压值的纹波系数可达0.16%。因为本仿真实验中只加入了电压单闭环反馈,进一步提高精度需要再在外环加入电流反馈环。仿真电路很好的验证了试验参数计算的正确性和合理性,在本电路的初步设计中可以按照仿真电路中参数进行实验电路的搭建。传统的控制技术多是以模拟电路为基础的,其固有的缺陷是显而易见的, 比如 电路本身复杂、模拟器件本身存在差异性、温漂明显、不可编程性。基于这些固有 的缺点,数字化的控制技术优势便展现出来。在这里,我们将高阻抗的传感元件插入到一个串联的电容耦合电路中。广州高精度电压传感器单价

霍尔电压传感器体积小、线性度好、响应时间短,但测试带宽窄,测量精度不高。广州大量程电压传感器设计标准

采用双电源供电,为M57962芯片搭建比较简单的外围电路后,正负驱动电压为+15V和-9V,可以使IGBT可靠通断。并且M57962内部集成了短路和过电流保护,内部保护电路监测IGBT的饱和压降来判断是否过流,当出现短路或过流时,M57962将***驱动信号实施对IGBT的关断,同时输出故障信号。如图为驱动芯片M57962的驱动效果,将输入的高电平为5V、低电平为0V的电压信号放大为高电平为15V,低电平为-9V的驱动信号。-9V的低电平确保了IGBT可靠关断。广州大量程电压传感器设计标准

电压传感器产品展示
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