企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

国瑞热控金属加热盘突破海外技术壁垒,实现复杂结构产品量产能力。采用不锈钢精密加工一体化成型,通过五轴联动机床制造螺纹斜孔等复杂结构,加热面粗糙度 Ra 小于 0.1μm。内置螺旋状不锈钢加热元件,经真空焊接工艺与基体紧密结合,热效率达 90%,升温速率 25℃/ 分钟,工作温度范围室温至 500℃。设备具备 1000 小时无故障运行能力,通过国内主流客户认证,可直接替换进口同类产品,在匀气盘集成等场景中表现优异,助力半导体设备精密零部件国产化。工作温度范围宽泛,满足低温烘烤至高温烧结需求。中国澳门半导体晶圆加热盘

中国澳门半导体晶圆加热盘,加热盘

国瑞热控快速退火**加热盘以高频响应特性适配 RTP 工艺需求,采用红外辐射与电阻加热复合技术,升温速率突破 50℃/ 秒,可在数秒内将晶圆加热至 1000℃以上。加热盘选用低热惯性的氮化铝陶瓷材质,搭配多组**温控模块,通过 PID 闭环控制实现温度快速调节,降温速率达 30℃/ 秒,有效减少热预算对晶圆性能的影响。表面喷涂抗热震涂层,可承受反复快速升降温循环而无开裂风险,使用寿命超 20000 次循环。设备集成温度实时监测系统,与应用材料 Centura、东京电子 Trias 等主流炉管设备兼容,为先进制程中的离子***、缺陷修复工艺提供可靠支持。江苏涂胶显影加热盘供应商升温迅速表面温差小,过热保护安全耐用,为设备护航。

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针对半导体湿法工艺中溶液温度控制需求,国瑞热控湿法**加热盘采用耐腐蚀不锈钢材质,经电解抛光与钝化处理,可耐受酸碱溶液长期浸泡无腐蚀。加热盘内置密封式加热元件,与溶液完全隔离,避免漏电风险,同时具备 1500V/1min 的电气强度,使用安全可靠。通过底部加热与侧面保温设计,使溶液温度均匀性控制在 ±1℃以内,温度调节范围覆盖 25℃至 100℃,满足湿法刻蚀、清洗等工艺的温度要求。配备高精度温度传感器,实时监测溶液温度,当温度超出设定范围时自动启动加热或冷却调节,确保化学反应平稳进行。设备适配不同规格的湿法工艺槽体,可根据槽体尺寸定制加热盘形状与功率,为半导体湿法工艺的稳定性与重复性提供保障。

借鉴晶圆键合工艺的技术需求,国瑞热控键合**加热盘创新采用真空吸附与弹簧压块复合结构,通过弹簧压力限制加热平台受热膨胀,高温下表面平整度误差控制在 0.02mm 以内。加热盘主体采用因瓦合金与氮化铝复合基材,兼具低热膨胀系数与高导热性,温度均匀性达 ±1.5℃,适配室温至 450℃的键合温度需求。底部设计双层隔热结构,***层阻隔热量向下传导,第二层快速散热避免设备腔体温升过高。配备精细压力控制模块,可根据键合类型调整吸附力,在硅 - 硅直接键合、金属键合等工艺中确保界面贴合紧密,提升键合良率。适用半导体、医疗、科研等多个领域,是您理想的加热解决方案。

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国瑞热控 12 英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计,采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材,通过多道精密研磨工艺,使加热面平面度误差控制在 0.015mm 以内,完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求。内部采用分区式加热元件布局,划分 8 个**温控区域,配合高精度铂电阻传感器,实现 ±0.8℃的控温精度,满足 7nm 至 14nm 制程对温度均匀性的严苛要求。设备支持真空吸附与静电卡盘双重固定方式,适配不同类型的反应腔结构,升温速率达 20℃/ 分钟,工作温度范围覆盖室温至 600℃,可兼容 PVD、CVD、刻蚀等多道关键工艺。通过与中芯国际、长江存储等企业的深度合作,已实现与国产 12 英寸晶圆生产线的无缝对接,为先进制程规模化生产提供稳定温控支撑。均匀热场分布,避免局部过热,保护敏感样品工艺质量。苏州晶圆级陶瓷加热盘定制

低热容设计,升温降温迅捷,适合快速变温工艺。中国澳门半导体晶圆加热盘

针对半导体载板制造中的温控需求,国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺。采用不锈钢基材经硬化处理,表面硬度达 HRC50 以上,耐受载板加工过程中的机械冲击无变形。加热元件采用蛇形分布设计,加热面温度均匀性达 ±1℃,温度调节范围 40℃-180℃,适配载板预加热、树脂固化等环节。配备真空吸附系统,可牢固固定不同尺寸载板(50mm×50mm 至 300mm×300mm),避免加工过程中位移导致的精度偏差。与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作,支持 BT 树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工,为 Chiplet 封装、扇出型封装提供高质量载板保障。中国澳门半导体晶圆加热盘

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