SIBA 西霸 D 系列熔断器注重低功耗设计,助力节能降耗。其采用高纯度紫铜镀银熔体,导电率比普通铜熔体高 20%,在额定电流下,熔体自身功耗≤0.3W,远低于传统直流熔断器 0.8W 的平均水平。引脚与铜帽连接处采用 “低电阻接触” 设计,接触电阻≤5mΩ,减少电流传输损耗。在 24V/10A 直流电机回路中,采用 D 系列熔断器后,回路年耗电量减少约 1.5 度;在大型储能电站中,千台 D 系列熔断器并联运行,年节电可达 1200 度以上。低功耗特性不仅降低运行成本,还减少发热,提升系统整体能效,符合绿色节能发展趋势。SIBA西霸产品远销全球120多个国家和地区,在电力、工业、交通等领域赢得认可。SIBA西霸2067132.450
随着电力电子技术发展,高频电路应用日益***,SIBA 西霸半导体快速熔断器具备出色的耐高频特性,适配高频工况需求。高频电路中,电流方向频繁变化,易产生集肤效应与邻近效应,导致传统熔断器发热不均、性能不稳定。而 SIBA 这款熔断器采用的超细纯银熔体,表面积与体积比更大,能减少集肤效应影响;同时,陶瓷管外壳与石英砂填充材料的介损极低,在高频环境下仍保持稳定绝缘性能。在高频感应加热设备、射频电源等场景中,其可长期稳定运行,不会因高频干扰出现误动作或性能衰减。SIBA西霸2067132.450SIBA西霸低压熔断器,部分延迟型号如179120.2,巧妙延长熔断时间,为瞬时过流提供贴心保护。

SIBA西霸高压熔断器技术性能***。其由并联的纯银熔体构成,熔体狭窄部位经过精心设计与生产,保证了时间 — 电流特性曲线的误差极小,离散性小,为用户提供了高度可靠的保护。熔体缠绕在星状陶瓷骨架上,末端通过电阻焊焊接到陶瓷骨架的镀银铜盖帽(内帽)上,再点焊固定在**外面的镀银铜帽内侧,外铜帽机械固定在内外上釉的陶瓷套管上,并采用耐久弹性密封剂密封,该密封方法经过数十年现场实践验证,能有效防止受潮。部分高压熔断器带有撞击器系统,如 80N(件号末尾数为 13)和 120N(件号末尾数为 14)的撞击器,可在熔断器主熔体熔断后,通过分路熔体汽化释放压力弹簧,使撞击器动作。部分撞击器还装有温度限制器,能在保护设备的同时,防止 SF₆开关设备内熔断器套筒出现不允许的温升,确保设备在复杂环境下安全稳定运行。
siba西霸 D 列熔断器在工业及民用建筑领域应用***。在工业厂房中,D 列熔断器用于保护各种电气设备和生产线,其具备的高可靠性和良好的分断能力,能够应对工业环境中复杂多变的电流情况,有效防止因过电流导致的设备故障和生产中断,保障工业生产的连续性和稳定性。在民用建筑方面,从大型商业综合体到普通居民住宅,D 列熔断器都发挥着重要作用。在建筑电气系统中,它能够对配电线路、照明设备、家用电器等进行可靠保护,确保居民用电安全。例如,当家庭中某个电器发生短路或过载时,D 列熔断器能够迅速切断电路,避免火灾等危险情况的发生,为人们的生活提供了安全保障。新能源汽车BMS系统中,SIBA西霸小型熔断器保护低压电路,适配狭小安装空间。

SIBA 西霸高压熔断器的温度限制器功能,是其针对特殊高压设备保护的重要创新,为设备安全运行提供了额外保障。在 SF₆绝缘开关设备中,熔断器套筒若长期处于高温环境,会加速 SF₆气体的老化,降低绝缘性能,甚至引发设备故障。而 SIBA 西霸高压熔断器 80N 撞击器系统内置的温度限制器,能实时监测套筒温度。当温度超过设定阈值时,温度触发器迅速动作,通过撞击器推动开关分闸,切断电路并降低温度。该功能可将熔断器套筒温度严格控制在 100℃以下,避免 SF₆气体绝缘性能下降。在国内某大型电厂的 SF₆开关设备保护中,温度限制器多次在温度异常时及时动作,有效防止了设备绝缘损坏事故,充分体现了其重要的功能价值。SIBA西霸部分型号配备撞击器与温度限制器,熔断后可联动开关或控温,提升保护功能性。SIBA西霸2067132.450
车载充电机电路用SIBA西霸半导体低压熔断器,快速响应过流,保护充电机元件。SIBA西霸2067132.450
低压变频器是工业自动化**设备,内部元件对过流敏感,SIBA 西霸低压熔断器为其提供精确适配保护。针对变频器输入侧的整流桥与输出侧的 IGBT 模块,熔断器采用 “快速响应 + 耐冲击” 双重特性设计,输入侧型号分断时间≤1ms,可保护整流桥免受短路冲击;输出侧型号能承受变频器启停时的电流波动,避免误动作。其时间 - 电流特性曲线与变频器元件的耐受曲线完美匹配,例如,针对 11kW/380V 变频器(输入电流约 22A),选用 25A 输入侧熔断器与 32A 输出侧熔断器,在变频器出现 IGBT 短路时,输出侧熔断器 0.5ms 内熔断,保护变频器**模块。某汽车零部件厂应用案例显示,采用该适配方案后,变频器故障维修率下降 60%。SIBA西霸2067132.450