广东晶圆加热盘

国瑞热控光刻胶烘烤加热盘以微米级温控精度支撑光刻工艺，采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构，表面粗糙度 Ra 小于 0.1μm，减少光刻胶涂布缺陷。加热面划分 6 个**温控区域，通过仿真优化的加热元件布局，使温度均匀性达 ±0.5℃，避免烘烤过程中因温度差异导致的光刻胶膜厚不均。温度调节范围覆盖 60℃至 150℃，升温速率 10℃/ 分钟，搭配无接触红外测温系统，实时监测晶圆表面温度并动态调节。设备兼容 6 英寸至 12 英寸光刻机配套需求，与 ASML、尼康等设备的制程参数匹配，为光刻胶的软烘、坚膜等关键步骤提供稳定温控环境。热解决方案伙伴，深入探讨共同优化工艺热管理环节。广东晶圆加热盘

国瑞热控 12 英寸半导体加热盘专为先进制程量产需求设计，采用氮化铝陶瓷与高纯铜复合基材，通过多道精密研磨工艺，使加热面平面度误差控制在 0.015mm 以内，完美贴合大尺寸晶圆的均匀受热需求。内部采用分区式加热元件布局，划分 8 个**温控区域，配合高精度铂电阻传感器，实现 ±0.8℃的控温精度，满足 7nm 至 14nm 制程对温度均匀性的严苛要求。设备支持真空吸附与静电卡盘双重固定方式，适配不同类型的反应腔结构，升温速率达 20℃/ 分钟，工作温度范围覆盖室温至 600℃，可兼容 PVD、CVD、刻蚀等多道关键工艺。通过与中芯国际、长江存储等企业的深度合作，已实现与国产 12 英寸晶圆生产线的无缝对接，为先进制程规模化生产提供稳定温控支撑。探针测试加热盘定制结构紧凑安装便捷，多重安全保护，使用安心无顾虑。

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求，开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体，内置铟原子蒸发温控模块，可精细控制铟蒸汽分压，确保硒与铟原子比稳定在 1:1。加热面温度均匀性控制在 ±0.5℃，升温速率可低至 0.5℃/ 分钟，为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境。设备支持 5 厘米直径晶圆级制备，配合惰性气体保护系统，避免材料氧化，与北京大学等科研团队合作验证，助力高性能晶体管阵列构建，其电学性能指标可达 3 纳米硅基芯片的 3 倍。

国瑞热控针对半导体量子点制备需求，开发**加热盘适配胶体化学合成工艺。采用聚四氟乙烯密封腔体与不锈钢加热基体复合结构，耐有机溶剂腐蚀，且无金属离子溶出污染量子点溶液。内置高精度温度传感器，测温精度达 ±0.1℃，温度调节范围 25℃-300℃，支持 0.1℃/ 分钟的慢速升温，为量子点成核、生长提供精细热环境。配备磁力搅拌协同系统，使溶液温度与搅拌速率同步可控，确保量子点尺寸均一性（粒径偏差小于 5%）。与中科院化学所等科研团队合作，成功制备 CdSe、PbS 等多种量子点，其荧光量子产率达 80% 以上，为量子点显示、生物成像等领域提供**制备设备。深厚热控经验，针对性选型建议，解决应用难题。

国瑞热控清洗槽**加热盘以全密封结构设计适配高洁净需求，采用 316L 不锈钢经电解抛光处理，表面粗糙度 Ra 小于 0.05μm，无颗粒脱落风险。加热元件采用氟塑料密封封装，与清洗液完全隔离，耐受酸碱浓度达 90% 的腐蚀环境，电气强度达 2000V/1min。通过底部波浪形加热面设计，使槽内溶液形成自然对流，温度均匀性达 ±0.8℃，温度调节范围 25℃-120℃。配备防干烧与泄漏检测系统，与盛美上海等清洗设备厂商适配，符合半导体制造 Class 1 洁净标准，为晶圆清洗后的表面质量提供保障。创新热传导技术，热量集中不散失，有效降低能源消耗成本。南京晶圆键合加热盘生产厂家

特殊尺寸功率定制，快速响应需求，量身打造方案。广东晶圆加热盘

国瑞热控刻蚀工艺加热盘，专为半导体刻蚀环节的精细温控设计，有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构，表面经抛光处理至镜面效果，减少刻蚀副产物粘附，且耐受等离子体轰击无损伤。加热盘与静电卡盘协同适配，通过底部导热纹路优化，使热量快速传导至晶圆背面，温度响应时间缩短至 10 秒以内。支持温度阶梯式调节功能，可根据刻蚀深度需求设定多段温度曲线，适配硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺场景。设备整体符合半导体洁净车间 Class 1 标准，拆卸维护无需特殊工具，大幅降低生产线停机时间。广东晶圆加热盘

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