针对半导体载板制造中的温控需求,国瑞热控**加热盘以高稳定性适配载板钻孔、电镀等工艺。采用不锈钢基材经硬化处理,表面硬度达 HRC50 以上,耐受载板加工过程中的机械冲击无变形。加热元件采用蛇形分布设计,加热面温度均匀性达 ±1℃,温度调节范围 40℃-180℃,适配载板预加热、树脂固化等环节。配备真空吸附系统,可牢固固定不同尺寸载板(50mm×50mm 至 300mm×300mm),避免加工过程中位移导致的精度偏差。与深南电路、兴森快捷等载板厂商合作,支持 BT 树脂、玻璃纤维等不同材质载板加工,为 Chiplet 封装、扇出型封装提供高质量载板保障。模块化设计,便于维护更换,减少停机提升产能。长宁区高精度均温加热盘厂家

面向半导体新材料研发场景,国瑞热控高温加热盘以宽温域与高稳定性成为科研工具。采用石墨与碳化硅复合基材,工作温度范围覆盖 500℃-2000℃,可通过程序设定实现阶梯式升温,升温速率调节范围 0.1-10℃/ 分钟。加热面配备 24 组测温点,实时监测温度分布,数据采样频率达 10Hz,支持与实验室数据系统对接。设备体积紧凑(直径 30cm),重量* 5kg,配备小型真空腔体与惰性气体接口,适配薄膜沉积、晶体生长等多种实验需求,已服务于中科院半导体所等科研机构。虹口区半导体加热盘供应商模块化设计理念,维护更换简单快捷,大幅降低运维成本。

针对半导体湿法工艺中溶液温度控制需求,国瑞热控湿法**加热盘采用耐腐蚀不锈钢材质,经电解抛光与钝化处理,可耐受酸碱溶液长期浸泡无腐蚀。加热盘内置密封式加热元件,与溶液完全隔离,避免漏电风险,同时具备 1500V/1min 的电气强度,使用安全可靠。通过底部加热与侧面保温设计,使溶液温度均匀性控制在 ±1℃以内,温度调节范围覆盖 25℃至 100℃,满足湿法刻蚀、清洗等工艺的温度要求。配备高精度温度传感器,实时监测溶液温度,当温度超出设定范围时自动启动加热或冷却调节,确保化学反应平稳进行。设备适配不同规格的湿法工艺槽体,可根据槽体尺寸定制加热盘形状与功率,为半导体湿法工艺的稳定性与重复性提供保障。
面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求,国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升。采用铝合金基体与石英玻璃复合结构,加热面平面度误差小于 0.01mm,确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合。通过红外加热与接触式导热协同技术,升温速率达 15℃/ 分钟,温度调节范围 60℃-120℃,控温精度 ±0.3℃,适配光刻胶软烘、坚膜等预处理环节。表面经防反射涂层处理,减少深紫外光反射干扰,且具备快速冷却功能,从 120℃降至室温*需 8 分钟,缩短工艺间隔。与上海微电子光刻机适配,使光刻图形线宽偏差控制在 5nm 以内,满足 90nm 至 28nm 制程的精密图形定义需求。深厚热控经验,针对性选型建议,解决应用难题。

国瑞热控针对离子注入后杂质***工艺,开发**加热盘适配快速热退火需求。采用氮化铝陶瓷基材,热导率达 200W/mK,热惯性小,升温速率达 60℃/ 秒,可在几秒内将晶圆加热至 1000℃,且降温速率达 40℃/ 秒,减少热预算对晶圆的影响。加热面采用激光打孔工艺制作微小散热孔,配合背面惰性气体冷却,实现晶圆正反面温度均匀(温差小于 2℃)。配备红外高温计实时监测晶圆表面温度,测温精度 ±2℃,通过 PID 控制确保温度稳定,适配硼、磷等不同杂质的***温度需求(600℃-1100℃)。与应用材料离子注入机适配,使杂质***率提升至 95% 以上,为半导体器件的电学性能调控提供关键支持。热场分布均匀,避免局部过热,保护样品质量一致。青浦区半导体晶圆加热盘供应商
精确稳定温度环境,提升产品良率,助力降本增效。长宁区高精度均温加热盘厂家
国瑞热控推出加热盘节能改造方案,针对存量设备能耗高问题提供系统升级。采用石墨烯导热涂层技术提升热传导效率,配合智能温控算法优化加热功率输出,使单台设备能耗降低 20% 以上。改造内容包括加热元件更换、隔热层升级与控制系统迭代,保留原有设备主体结构,改造成本*为新设备的 40%。升级后的加热盘温度响应速度提升 30%,温度波动控制在 ±1℃以内,符合半导体行业节能标准。已为华虹半导体等企业完成 200 余台设备改造,年节约电费超百万元,助力半导体工厂实现绿色生产转型。长宁区高精度均温加热盘厂家
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着先进的发展理念,先进的管理经验,在发展过程中不断完善自己,要求自己,不断创新,时刻准备着迎接更多挑战的活力公司,在江苏省等地区的电工电气中汇聚了大量的人脉以及**,在业界也收获了很多良好的评价,这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果,这些评价对我们而言是比较好的前进动力,也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神,努力把公司发展战略推向一个新高度,在全体员工共同努力之下,全力拼搏将共同无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手走向更好的未来,创造更有价值的产品,我们将以更好的状态,更认真的态度,更饱满的精力去创造,去拼搏,去努力,让我们一起更好更快的成长!
针对碳化硅衬底生长的高温需求,国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术,**温度梯度可控性差的行业难题!加热盘主体选用耐高温石墨基材,表面喷涂碳化硅涂层,在2200℃高温下仍保持结构稳定,热导率达180W/mK,适配PVT法、TSSG法等主流生长工艺!内部划分12个**温控区域,每个区域控温精度达±2℃,通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率,助力8英寸碳化硅衬底量产!设备配备石墨隔热屏与真空密封结构,在10⁻⁴Pa真空环境下无杂质释放,与晶升股份等设备厂商联合调试适配,使衬底生产成本较进口方案降低30%以上,为新能源汽车、5G通信等领域提供**材料支撑!高精度温控可达±1℃,满足半导体等严苛...