连云港刻蚀晶圆加热盘

国瑞热控 8 英寸半导体加热盘聚焦成熟制程需求，以高性价比与稳定性能成为中低端芯片制造的推荐。采用铝合金基体经阳极氧化处理，表面平整度误差小于 0.03mm，加热面温度均匀性控制在 ±2℃以内，满足 65nm 至 90nm 制程的温度要求。内部采用螺旋状镍铬加热丝，热效率达 85% 以上，升温速率 15℃/ 分钟，工作温度上限 450℃，适配 CVD、PVD 等常规工艺。设备配备标准真空吸附接口与温控信号端口，可直接替换 ULVAC、Evatec 等国际品牌同规格产品，安装无需调整现有生产线布局。通过 1000 小时高温老化测试，故障率低于 0.1%，为功率器件、传感器等成熟制程芯片制造提供稳定支持。特殊尺寸功率定制，快速响应需求，量身打造方案。连云港刻蚀晶圆加热盘

借鉴空间站 “双波长激光加热” 原理，国瑞热控开发半导体激光加热盘，适配极端高温材料制备。采用氮化铝陶瓷基体嵌入激光吸收层，表面可承受 3000℃以上局部高温，配合半导体激光与二氧化碳激光协同加热，实现 “表面强攻 + 内部渗透” 的加热效果。加热区域直径可在 10mm-200mm 间调节，温度响应时间小于 1 秒，控温精度 ±1℃，支持脉冲式加热模式。设备配备红外测温与激光功率闭环控制系统，在钨合金、铌合金等耐热材料研发中应用，为航空航天等**领域提供极端环境模拟工具。黄浦区涂胶显影加热盘生产厂家模块化设计，便于维护更换，减少停机提升产能。

电控晶圆加热盘：半导体工艺的准确温控重点。无锡国瑞热控的电控晶圆加热盘，以创新结构设计解释半导体制造的温控难题。其底盘内置螺旋状发热电缆与均温膜，通过热量传导路径优化，使加热面均温性达到行业高标准，确保晶圆表面温度分布均匀，为光刻胶涂布等关键工艺提供稳定环境。搭配高精度温度传感器与限温开关，温度波动可控制在极小范围，适配 6 英寸至 12 英寸不同规格晶圆需求。设备采用卡接组件连接上盘与底盘，通过转盘驱动齿轮结构实现快速拆装，大幅降低检修维护的停机时间，完美契合半导体量产线的高效运维需求。

面向先进封装 Chiplet 技术需求，国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材，加热面平面度误差小于 0.02mm，确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线，实现 1mm×1mm 精细温控分区，温度调节范围覆盖室温至 300℃，控温精度 ±0.3℃，适配混合键合、倒装焊等工艺环节。配备压力与温度协同控制系统，在键合过程中同步调节温度与压力参数，减少界面缺陷。与长电科技、通富微电等企业适配，支持 2.5D/3D 封装架构，为 AI 服务器等高算力场景提供高密度集成解决方案。专业热仿真分析，优化热场分布设计，确保加热效果均匀。

国瑞热控深耕半导体加热盘国产化研发，针对进口设备的技术壁垒与供应风险，推出全套替代方案。方案涵盖6英寸至12英寸不同规格加热盘，材质包括铝合金、氮化铝陶瓷等，可直接替换Kyocera、CoorsTek等国际品牌同型号产品，且在温度均匀性、控温精度等关键指标上达到同等水平。通过与国内半导体设备厂商的联合开发，实现加热盘与国产设备的深度适配，解决进口产品安装调试复杂、售后服务滞后等问题。替代方案不仅在采购成本上较进口产品降低30%以上，且交货周期缩短至45天以内，大幅提升供应链稳定性。已为国内多家半导体制造企业提供国产化替代服务，助力半导体产业链自主可控，推动国内半导体装备产业的发展。精益求精每个环节，温度一致响应快，性能优异。闵行区半导体晶圆加热盘非标定制

表面特殊处理，耐腐蚀易清洁，适用化学食品领域。连云港刻蚀晶圆加热盘

面向半导体热压键合工艺，国瑞热控**加热盘以温度与压力协同控制提升键合质量。采用陶瓷加热芯与铜合金散热基体复合结构，加热面平面度误差小于 0.005mm，确保键合区域压力均匀传递。温度调节范围室温至 400℃，升温速率达 40℃/ 秒，可快速达到键合温度并保持稳定（温度波动 ±0.5℃），适配金 - 金、铜 - 铜等不同金属键合工艺。配备压力传感器与位移监测模块，实时反馈键合过程中的压力变化与芯片位移，通过闭环控制实现压力（0.1-10MPa）与温度的精细匹配。与 ASM 太平洋键合设备适配，使键合界面电阻降低至 5mΩ 以下，为高可靠性芯片互联提供保障。连云港刻蚀晶圆加热盘

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