面向深紫外光刻工艺对晶圆预处理的需求,国瑞热控配套加热盘以微米级温控助力图形精度提升。采用铝合金基体与石英玻璃复合结构,加热面平面度误差小于 0.01mm,确保晶圆与光刻掩膜紧密贴合。通过红外加热与接触式导热协同技术,升温速率达 15℃/ 分钟,温度调节范围 60℃-120℃,控温精度 ±0.3℃,适配光刻胶软烘、坚膜等预处理环节。表面经防反射涂层处理,减少深紫外光反射干扰,且具备快速冷却功能,从 120℃降至室温*需 8 分钟,缩短工艺间隔。与上海微电子光刻机适配,使光刻图形线宽偏差控制在 5nm 以内,满足 90nm 至 28nm 制程的精密图形定义需求。表面特殊处理工艺,耐腐蚀易清洁,适用于各种复杂工作环境。中国澳门刻蚀晶圆加热盘厂家

国瑞热控半导体测试用加热盘,专为芯片性能测试环节的温度环境模拟设计,可精细复现芯片工作时的温度条件。设备温度调节范围覆盖 - 40℃至 150℃,支持快速升温和降温,速率分别达 25℃/ 分钟和 20℃/ 分钟,能模拟不同工况下的温度变化。加热盘表面采用柔性导热垫层,适配不同厚度的测试芯片,确保热量均匀传递至芯片表面,温度控制精度达 ±0.5℃。配备可编程温度控制系统,可预设多段温度曲线,满足长时间稳定性测试需求。设备运行时无电磁场干扰,避免对测试数据产生影响,同时具备过温、过流双重保护功能,为半导体芯片的性能验证与质量检测提供专业温度环境。重庆刻蚀晶圆加热盘非标定制高效稳定耐用三大优势,广泛应用于塑料封装材料合成等领域。

针对晶圆清洗后的烘干环节,国瑞热控**加热盘以洁净高效的特性适配严苛需求。产品采用高纯不锈钢基材,表面经电解抛光与钝化处理,粗糙度 Ra 小于 0.2μm,减少水分子附着与杂质残留。加热面采用蜂窝状导热结构,使热量均匀分布,晶圆表面温度差控制在 ±2℃以内,避免因局部过热导致的晶圆翘曲。温度调节范围覆盖 50℃至 150℃,支持阶梯式升温程序,适配不同清洗液的烘干需求。设备整体采用无死角结构设计,清洁时*需用高纯酒精擦拭即可,符合半导体制造的高洁净标准,为清洗后晶圆的干燥质量与后续工艺衔接提供保障。
面向先进封装 Chiplet 技术需求,国瑞热控**加热盘以高精度温控支撑芯片互联工艺。采用铝合金与陶瓷复合基材,加热面平面度误差小于 0.02mm,确保多芯片堆叠时受热均匀。内部采用微米级加热丝布线,实现 1mm×1mm 精细温控分区,温度调节范围覆盖室温至 300℃,控温精度 ±0.3℃,适配混合键合、倒装焊等工艺环节。配备压力与温度协同控制系统,在键合过程中同步调节温度与压力参数,减少界面缺陷。与长电科技、通富微电等企业适配,支持 2.5D/3D 封装架构,为 AI 服务器等高算力场景提供高密度集成解决方案。重视客户反馈,持续改进产品服务,体验专业高效合作。

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求,开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体,内置铟原子蒸发温控模块,可精细控制铟蒸汽分压,确保硒与铟原子比稳定在 1:1。加热面温度均匀性控制在 ±0.5℃,升温速率可低至 0.5℃/ 分钟,为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境。设备支持 5 厘米直径晶圆级制备,配合惰性气体保护系统,避免材料氧化,与北京大学等科研团队合作验证,助力高性能晶体管阵列构建,其电学性能指标可达 3 纳米硅基芯片的 3 倍。专业售后服务团队,快速响应及时处理,保障您的生产不间断。湖南半导体晶圆加热盘厂家
高效电热转换效率,降低运营成本,实现绿色生产目标。中国澳门刻蚀晶圆加热盘厂家
国瑞热控半导体加热盘**散热系统,为设备快速降温与温度稳定提供有力支持。系统采用水冷与风冷复合散热方式,水冷通道围绕加热盘均匀分布,配合高转速散热风扇,可在 10 分钟内将加热盘温度从 500℃降至室温,大幅缩短工艺间隔时间。散热系统配备智能温控阀,根据加热盘实时温度自动调节水流量与风扇转速,避免过度散热导致的能耗浪费。采用耐腐蚀管路与密封件,在长期使用过程中无漏水风险,且具备压力监测与报警功能,确保系统运行安全。适配高温工艺后的快速降温需求,与国瑞加热盘协同工作,形成完整的温度控制闭环,为半导体制造中多工艺环节的连续生产提供保障。中国澳门刻蚀晶圆加热盘厂家
无锡市国瑞热控科技有限公司是一家有着雄厚实力背景、信誉可靠、励精图治、展望未来、有梦想有目标,有组织有体系的公司,坚持于带领员工在未来的道路上大放光明,携手共画蓝图,在江苏省等地区的电工电气行业中积累了大批忠诚的客户粉丝源,也收获了良好的用户口碑,为公司的发展奠定的良好的行业基础,也希望未来公司能成为*****,努力为行业领域的发展奉献出自己的一份力量,我们相信精益求精的工作态度和不断的完善创新理念以及自强不息,斗志昂扬的的企业精神将**无锡市国瑞热控科技供应和您一起携手步入辉煌,共创佳绩,一直以来,公司贯彻执行科学管理、创新发展、诚实守信的方针,员工精诚努力,协同奋取,以品质、服务来赢得市场,我们一直在路上!
针对碳化硅衬底生长的高温需求,国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术,**温度梯度可控性差的行业难题!加热盘主体选用耐高温石墨基材,表面喷涂碳化硅涂层,在2200℃高温下仍保持结构稳定,热导率达180W/mK,适配PVT法、TSSG法等主流生长工艺!内部划分12个**温控区域,每个区域控温精度达±2℃,通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率,助力8英寸碳化硅衬底量产!设备配备石墨隔热屏与真空密封结构,在10⁻⁴Pa真空环境下无杂质释放,与晶升股份等设备厂商联合调试适配,使衬底生产成本较进口方案降低30%以上,为新能源汽车、5G通信等领域提供**材料支撑!高精度温控可达±1℃,满足半导体等严苛...