企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无损伤。加热盘与静电卡盘协同适配,通过底部导热纹路优化,使热量快速传导至晶圆背面,温度响应时间缩短至 10 秒以内。支持温度阶梯式调节功能,可根据刻蚀深度需求设定多段温度曲线,适配硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺场景。设备整体符合半导体洁净车间 Class 1 标准,拆卸维护无需特殊工具,大幅降低生产线停机时间。专业研发团队支持,持续创新改进,产品性能不断提升。南通晶圆级陶瓷加热盘非标定制

南通晶圆级陶瓷加热盘非标定制,加热盘

针对车载半导体高可靠性需求,国瑞热控测试加热盘适配 AEC-Q100 标准。采用**级铝合金基材,通过 - 55℃至 150℃高低温循环测试 5000 次无变形,加热面平整度误差小于 0.03mm。温度调节范围覆盖 - 40℃至 200℃,升降温速率达 30℃/ 分钟,可模拟车载芯片在极端环境下的工作状态。配备 100 组可编程温度曲线,支持持续 1000 小时老化测试,与比亚迪半导体、英飞凌等企业适配,通过温度冲击、湿热循环等可靠性验证,为新能源汽车电控系统提供质量保障。北京晶圆级陶瓷加热盘定制无锡国瑞热控科技,专注加热盘研发制造,是您值得信赖的合作伙伴。

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为降低半导体加热盘的热量损耗,国瑞热控研发**隔热组件,通过多层复合结构设计实现高效保温。组件内层采用耐高温隔热棉,热导率* 0.03W/(m・K),可有效阻隔加热盘向设备腔体的热量传递;外层选用金属防护壳,兼具结构强度与抗腐蚀性能,适配半导体洁净车间环境。隔热组件与加热盘精细贴合,安装拆卸便捷,不影响加热盘的正常维护与更换。通过隔热组件应用,可使加热盘热量利用率提升 15% 以上,降低设备整体能耗,同时减少设备腔体温升,延长周边部件使用寿命。适配国瑞全系列半导体加热盘,且可根据客户现有加热盘尺寸定制,为半导体生产线的能耗优化提供实用解决方案。

面向半导体热压键合工艺,国瑞热控**加热盘以温度与压力协同控制提升键合质量。采用陶瓷加热芯与铜合金散热基体复合结构,加热面平面度误差小于 0.005mm,确保键合区域压力均匀传递。温度调节范围室温至 400℃,升温速率达 40℃/ 秒,可快速达到键合温度并保持稳定(温度波动 ±0.5℃),适配金 - 金、铜 - 铜等不同金属键合工艺。配备压力传感器与位移监测模块,实时反馈键合过程中的压力变化与芯片位移,通过闭环控制实现压力(0.1-10MPa)与温度的精细匹配。与 ASM 太平洋键合设备适配,使键合界面电阻降低至 5mΩ 以下,为高可靠性芯片互联提供保障。热响应速度快,快速达温稳定,减少等待时间提升效率。

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国瑞热控薄膜沉积**加热盘以精细温控助力半导体涂层质量提升,采用铝合金基体与陶瓷覆层复合结构,表面粗糙度 Ra 控制在 0.08μm 以内,减少薄膜沉积过程中的界面缺陷。加热元件采用螺旋状分布设计,配合均温层优化,使加热面温度均匀性达 ±0.5℃,确保薄膜厚度偏差小于 5%。设备支持温度阶梯式调节功能,可根据沉积材料特性设定多段温度曲线,适配氧化硅、氮化硅等不同薄膜的生长需求。工作温度范围覆盖 100℃至 500℃,升温速率 12℃/ 分钟,且具备快速冷却通道,缩短工艺间隔时间。通过与拓荆科技、北方华创等设备厂商的联合调试,已实现与国产薄膜沉积设备的完美适配,为半导体器件的绝缘层、钝化层制备提供稳定加热环境。高效稳定耐用三大优势,国瑞加热盘经得起时间考验。浦东新区晶圆键合加热盘厂家

适用半导体、医疗、科研等多个领域,是您理想的加热解决方案。南通晶圆级陶瓷加热盘非标定制

国瑞热控针对氮化镓外延生长工艺,开发**加热盘适配 MOCVD 设备需求。采用高纯石墨基材表面喷涂氮化铝涂层,在 1200℃高温下热膨胀系数与蓝宝石衬底匹配,避免衬底开裂风险,热导率达 150W/mK,确保热量均匀传递至衬底表面。内部设计 8 组**加热模块,通过 PID 精密控制实现 ±0.5℃的控温精度,精细匹配氮化镓外延层生长的温度窗口(1050℃-1150℃)。设备配备惰性气体导流通道,减少反应气体湍流导致的薄膜缺陷,与中微公司 MOCVD 设备联合调试,使外延层厚度均匀性误差控制在 3% 以内,为 5G 射频器件、电力电子器件量产提供**温控支持。南通晶圆级陶瓷加热盘非标定制

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针对碳化硅衬底生长的高温需求,国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术,**温度梯度可控性差的行业难题!加热盘主体选用耐高温石墨基材,表面喷涂碳化硅涂层,在2200℃高温下仍保持结构稳定,热导率达180W/mK,适配PVT法、TSSG法等主流生长工艺!内部划分12个**温控区域,每个区域控温精度达±2℃,通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率,助力8英寸碳化硅衬底量产!设备配备石墨隔热屏与真空密封结构,在10⁻⁴Pa真空环境下无杂质释放,与晶升股份等设备厂商联合调试适配,使衬底生产成本较进口方案降低30%以上,为新能源汽车、5G通信等领域提供**材料支撑!高精度温控可达±1℃,满足半导体等严苛...

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