企业商机
加热盘基本参数
  • 品牌
  • 无锡国瑞热控
  • 型号
  • 非标定制
  • 类型
  • 元素半导体材料,化合物半导体材料
  • 材质
  • 6061-T6,陶瓷,金属等
  • 产品名称
  • 晶圆加热盘
  • 产地
  • 江苏无锡
  • 厂家
  • 无锡国瑞热控
加热盘企业商机

国瑞热控针对硒化铟等二维半导体材料制备需求,开发**加热盘适配 “固 - 液 - 固” 相变生长工艺。采用高纯不锈钢基体加工密封腔体,内置铟原子蒸发温控模块,可精细控制铟蒸汽分压,确保硒与铟原子比稳定在 1:1。加热面温度均匀性控制在 ±0.5℃,升温速率可低至 0.5℃/ 分钟,为非晶薄膜向高质量晶体转化提供稳定热环境。设备支持 5 厘米直径晶圆级制备,配合惰性气体保护系统,避免材料氧化,与北京大学等科研团队合作验证,助力高性能晶体管阵列构建,其电学性能指标可达 3 纳米硅基芯片的 3 倍。适用半导体、医疗、科研等多个领域,是您理想的加热解决方案。徐汇区陶瓷加热盘非标定制

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国瑞热控建立半导体加热盘全生命周期服务体系,为客户提供从选型咨询到报废回收的全流程支持。售前提供工艺适配咨询,结合客户制程需求推荐合适型号或定制方案;售中提供安装调试指导,确保加热盘与设备精细对接,且提供操作培训服务;售后提供7×24小时技术支持,设备故障响应时间不超过2小时,维修周期控制在5个工作日以内,同时提供定期巡检服务(每季度1次),提前排查潜在问题。此外,针对报废加热盘提供环保回收服务,对可回收材质(如不锈钢、铝合金)进行分类处理,符合国家环保标准。该服务体系已覆盖国内30余省市的半导体企业,累计服务客户超200家,以专业服务保障客户生产线稳定运行,构建长期合作共赢关系。上海涂胶显影加热盘非标定制精确稳定温度环境,提升产品良率,助力降本增效。

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国瑞热控刻蚀工艺加热盘,专为半导体刻蚀环节的精细温控设计,有效解决刻蚀速率不均与图形失真问题。产品采用蓝宝石覆层与铝合金基体复合结构,表面经抛光处理至镜面效果,减少刻蚀副产物粘附,且耐受等离子体轰击无损伤。加热盘与静电卡盘协同适配,通过底部导热纹路优化,使热量快速传导至晶圆背面,温度响应时间缩短至 10 秒以内。支持温度阶梯式调节功能,可根据刻蚀深度需求设定多段温度曲线,适配硅刻蚀、金属刻蚀等不同工艺场景。设备整体符合半导体洁净车间 Class 1 标准,拆卸维护无需特殊工具,大幅降低生产线停机时间。

针对半导体制造中的高真空工艺需求,国瑞热控开发**真空密封组件,确保加热盘在真空环境下稳定运行。组件采用氟橡胶与金属骨架复合结构,耐温范围覆盖 - 50℃至 200℃,可长期在 10⁻⁵Pa 真空环境下使用无泄漏。密封件与加热盘接口精细匹配,通过多道密封设计提升真空密封性,避免反应腔体内真空度下降影响工艺质量。组件安装过程简单,无需特殊工具,且具备良好的耐磨性与抗老化性能,使用寿命超 5000 次拆装循环。适配 CVD、PVD 等真空工艺用加热盘,与国产真空设备厂商的反应腔体兼容,为半导体制造中的高真空环境提供可靠密封保障,助力提升工艺稳定性与产品良率。大小功率齐全,灵活匹配实验装置与工业设备需求。

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针对碳化硅衬底生长的高温需求,国瑞热控**加热盘采用多加热器分区布局技术,**温度梯度可控性差的行业难题。加热盘主体选用耐高温石墨基材,表面喷涂碳化硅涂层,在 2200℃高温下仍保持结构稳定,热导率达 180W/mK,适配 PVT 法、TSSG 法等主流生长工艺。内部划分 12 个**温控区域,每个区域控温精度达 ±2℃,通过精细调节温度梯度控制晶体生长速率,助力 8 英寸碳化硅衬底量产。设备配备石墨隔热屏与真空密封结构,在 10⁻⁴Pa 真空环境下无杂质释放,与晶升股份等设备厂商联合调试适配,使衬底生产成本较进口方案降低 30% 以上,为新能源汽车、5G 通信等领域提供**材料支撑。便于自动化集成,标准接口通讯支持,助力智能制造升级。四川加热盘非标定制

多种规格灵活定制,国瑞加热盘满足您的特殊应用需求。徐汇区陶瓷加热盘非标定制

国瑞热控依托 10 余年半导体加热盘研发经验,提供全流程定制化研发服务,满足客户特殊工艺需求。服务流程涵盖需求分析、方案设计、原型制作、性能测试、批量生产五大环节,可根据客户提供的工艺参数(温度范围、控温精度、尺寸规格、环境要求等),定制特殊材质(如高纯石墨、氮化硅陶瓷)、特殊结构(如多腔体集成、异形加热面)的加热盘。配备专业研发团队(含材料学、热力学、机械设计工程师),采用 ANSYS 温度场仿真软件优化设计方案,原型样品交付周期**短 10 个工作日,且提供 3 次**方案迭代。已为国内多家半导体设备厂商定制**加热盘,如为某企业开发的真空腔体集成加热盘,实现加热与匀气功能一体化,满足其特殊制程的空间限制需求。徐汇区陶瓷加热盘非标定制

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