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SDRAM各管脚功能说明：1、CLK是由系统时钟驱动的，SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样，CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器；2、CKE为时钟使能信号，高电平时时钟有效，低电平时时钟无效，CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直接接高电平。3、CS#为片选信号，低电平有效，当CS#为高时器件内部所有的命令信号都被屏蔽，同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效，这三个信号与CS#一起组合定义输入的命令。5、DQML，DQMU为数据掩码信号。写数据时，当DQM为高电平时对应的写入数据无效，DQML与DQMU分别对应于数据信号的低8位与高8位。6、A<0..12>为地址总线信号，在读写命令时行列地址都由该总线输入。7、BA0、BA1为BANK地址信号，用以确定当前的命令操作对哪一个BANK有效。8、DQ<0..15>为数据总线信号，读写操作时的数据信号通过该总线输出或输入。PCB典型的电路设计指导。湖北PCB设计销售电话

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。黄冈正规PCB设计功能如何梳理PCB设计布局模块框图？

电源模块摆放电源模块要远离易受干扰的电路，如ADC、DAC、RF、时钟等电路模块，发热量大的电源模块，需要拉大与其它电路的距离，与其他模块的器件保持3mm以上的距离。不同模块的用法电源，靠近模块摆放，负载为整板电源供电的模块优先摆放在总电源输入端。其它器件摆放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板边摆放，便于插拔,客户有指定位置除外。（2）驱动电路靠近接口摆放。（3）测温电路靠近发热量大的电源模块或功耗比较高的芯片摆放,摆放时确定正反面。（4）光耦、继电器、隔离变压器、共模电感等隔离器件的输入输出模块分开摆放,隔离间距40Mil以上。（5）热敏感元件（电解电容、晶振）远离大功率的功能模块、散热器，风道末端，器件丝印边沿距离＞400Mil。

丝印调整，子流程：设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式，字符的宽度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基铜）：4/23Mil(推荐设计成4/25Mil)；1盎司（基铜）：5/30Mil；2盎司(基铜)：6/45Mil；字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符（1）字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil，距离板边≥10Mil；任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。（2）丝印字符阴字线宽≥8mil；（3）字符只能有两个方向，排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右，从下到上。（4）字符的位号要与器件一一对应，不能颠倒、变换顺序，每个元器件上必须标出位号不可缺失，对于高密度板，可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示，如下图所示。字符摆放完成后，逐个高亮器件，确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。DDR3的PCB布局布线要求是什么？

SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步：是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输，不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）输出，数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存，CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作，即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步：由外部时钟给系统提供参考时钟，数据从发送到接收需要两个时钟，一个锁存发送数据，一个锁存接收数据，在一个时钟周期内完成，对于SDRAM及其控制芯片，参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生，此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求，即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。PCB设计中IPC网表自检的方法。十堰定制PCB设计包括哪些

在PCB设计中如何绘制结构特殊区域及拼板？湖北PCB设计销售电话

射频、中频电路（3）射频电路的PCBLAYOUT注意事项1、在同一个屏蔽腔体内，布局时应该按RF主信号流一字布局，由于空间限制，如果在同一个屏蔽腔内，RF主信号的元器件不能采用一字布局时，可以采用L形布局，比较好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要对U形布局的输出与输入间的隔离度要做仔细分析，确保不会出问题。2、相同单元的布局要保证完全相同，例如TRX有多个接收通道和发射通道。3、布局时就要考虑RF主信号走向，和器件间的相互耦合作用。4、感性器件应防止互感，与邻近的电感垂直放置中的电感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔离开来，简单地说，就是让高功率RF发射电路远离低功率RF接收电路，或者让它们交替工作，而不是同时工作，高功率电路有时还可包括RF缓冲器和压控制振荡器(VCO)。6、确保PCB板上高功率区至少有一整块地，且没有过孔，铜皮面积越大越好。7、RF输出要远离RF输入，或者采取屏蔽隔离措施，防止输出信号串到输入端。8、敏感的模拟信号应该远离高速数字信号和RF信号。湖北PCB设计销售电话

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