存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。ADC和DAC前端电路布线规则。荆门高速PCB设计多少钱
整板扇出(1)对板上已处理的表层线和过孔按照规则进行相应的调整。(2)格点优先选用25Mil的,其次采用5Mil格点,过孔扇出在格点上,相同器件过孔走线采用复制方式,保证过孔上下左右对齐、常见分立器件的扇出形式(3)8MIL过孔中心间距35MIL以上,10MIL过孔中心间距40MIL以上,以免将平面层隔断;差分过孔间距一般为30Mil(或过孔边缘距为8Mil)。(4)芯片电源管脚先过电容再打过孔(5)所有电源/地管脚就近打孔,高速差分过孔附近30-50Mil内加回流地孔,模块内通过表层线直连,无法连接的打过孔处理。(6)电源输出过孔打在输出滤波电容之后,电源输入过孔扇出在输入滤波电容之前,过孔数目满足电源载流要求,过孔通流能力参照,地孔数不少于电源过孔数。襄阳什么是PCB设计批发京晓科技给您带来PCB设计布线的技巧。
模块划分(1)布局格点设置为50Mil。(2)以主芯片为中心的划分准则,把该芯片相关阻容等分立器件放在同一模块中。(3)原理图中单独出现的分立器件,要放到对应芯片的模块中,无法确认的,需要与客户沟通,然后再放到对应的模块中。(4)接口电路如有结构要求按结构要求,无结构要求则一般放置板边。主芯片放置并扇出(1)设置默认线宽、间距和过孔:线宽:表层设置为5Mil;间距:通用线到线5Mil、线到孔(外焊盘)5Mil、线到焊盘5Mil、线到铜5Mil、孔到焊盘5Mil、孔到铜5Mil;过孔:选择VIA8_F、VIA10_F、VIA10等;(2)格点设置为25Mil,将芯片按照中心抓取放在格点上。(3)BGA封装的主芯片可以通过软件自动扇孔完成。(4)主芯片需调整芯片的位置,使扇出过孔在格点上,且过孔靠近管脚,孔间距50Mil,电源/地孔使用靠近芯片的一排孔,然后用表层线直接连接起来。
工艺、层叠和阻抗信息确认(1)与客户确认阻抗类型,常见阻抗类型如下:常规阻抗:单端50欧姆,差分100欧姆。特殊阻抗:射频线单端50欧姆、75欧姆隔层参考,USB接口差分90欧姆,RS485串口差分120欧姆。(2)传递《PCBLayout业务资料及要求》中的工艺要求、层叠排布信息和阻抗要求至工艺工程师,由工艺工程师生成《PCB加工工艺要求说明书》,基于以下几点进行说明:信号层夹在电源层和地层之间时,信号层靠近地层。差分间距≤2倍线宽。相邻信号层间距拉大。阻抗线所在的层号。(3)检查《PCB加工工艺要求说明书》信息是否有遗漏,错误,核对无误后再与客户进行确认。PCB设计布局的整体思路是什么?
Gerber输出Gerber输出前重新导入网表,保证终原理图与PCB网表一致,确保Gerber输出前“替代”封装已更新,根据《PCBLayout检查表》进行自检后,进行Gerber输出。PCBLayout在输出Gerber阶段的所有设置、操作、检查子流程步骤如下:Gerber参数设置→生成Gerber文件→IPC网表自检。(1)光绘格式RS274X,原点位置设置合理,光绘单位设置为英制,精度5:5(AD精度2:5)。(2)光绘各层种类齐全、每层内容选择正确,钻孔表放置合理。(3)层名命名正确,前缀统一为布线层ART,电源层PWR,地层GND,与《PCB加工工艺要求说明书》保持一致。(4)检查Drill层:(5)孔符层左上角添加CAD编号,每层光绘左下角添加各层层标。DDR模块中管脚功能说明。荆门高效PCB设计布局
如何设计PCB布线规则?荆门高速PCB设计多少钱
DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号,如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构,分支端靠近信号的接收端,串联电阻靠近驱动端放置(5mm以内),并联电阻靠近接收端放置(5mm以内),布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线(远端分支结构)的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构,布局时串联电阻靠近驱动端放置,并联电阻靠近接收端放置,布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V,对于控制芯片及DDR芯片,为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置,在允许的情况下多扇出几个孔,同时芯片配备大的储能大电容;对于1.25VVTT电源,该电源的质量要求非常高,不允许出现较大纹波,1.25V电源输出要经过充分的滤波,整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性,每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。荆门高速PCB设计多少钱
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