襄阳正规PCB设计规范

ADC/DAC电路：（4）隔离处理：隔离腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳，在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏蔽，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。，在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳，隔离腔体内的器件与屏蔽壳的间距＞0.5mm。如图6-1-2-4所示。腔体的周边为密封的，接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。（5）布线原则1、首先参考射频信号的处理原则。2、严格按照原理图的顺序进行ADC和DAC前端电路布线。3、空间允许的情况下，模拟信号采用包地处理，包地要间隔≥200Mil打地过孔4、ADC和DAC电源管脚比较好经过电容再到电源管脚，线宽≥20Mil，对于管脚比较细的器件，出线宽度与管脚宽度一致。5、模拟信号优先采用器件面直接走线，线宽≥10Mil，对50欧姆单端线、100欧姆差分信号要采用隔层参考，在保证阻抗的同时，以降低模拟输入信号的衰减损耗，6、不同ADC/DAC器件的采样时钟彼此之间需要做等长处理。7、当信号线必须要跨分割时，跨接点选择在跨接磁珠（或者0欧姆电阻）处。京晓科技与您分享等长线处理的具体步骤。襄阳正规PCB设计规范

丝印调整，子流程：设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式，字符的宽度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基铜）：4/23Mil(推荐设计成4/25Mil)；1盎司（基铜）：5/30Mil；2盎司(基铜)：6/45Mil；字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符（1）字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil，距离板边≥10Mil；任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。（2）丝印字符阴字线宽≥8mil；（3）字符只能有两个方向，排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右，从下到上。（4）字符的位号要与器件一一对应，不能颠倒、变换顺序，每个元器件上必须标出位号不可缺失，对于高密度板，可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示，如下图所示。字符摆放完成后，逐个高亮器件，确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。荆门什么是PCB设计怎么样PCB设计中等长线处理方式技巧有哪些？

布线，PCBLAYOUT在此阶段的所有布线必须符合《PCBLayout业务资料及要求》、《PCBLayout工艺参数》、《PCB加工工艺要求说明书》对整板布线约束的要求。同时也应该符合客户对过孔工艺、小线宽线距等的特殊要求，无法满足时需和客户客户沟通并记录到《设计中心沟通记录》邮件通知客户确认。布线的流程步骤如下：关键信号布线→整板布线→ICT测试点添加→电源、地处理→等长线处理→布线优化，关键信号布线关键信号布线的顺序：射频信号→中频、低频信号→时钟信号→高速信号。关键信号的布线应该遵循如下基本原则：★优先选择参考平面是地平面的信号层走线。★依照布局情况短布线。★走线间距单端线必须满足3W以上，差分线对间距必须满足20Mil以上

PCBLAYOUT规范PCBLayout整个流程是：网表导入-结构绘制-设计规划-布局-布线-丝印调整-Gerber输出。1.1网表导入网表导入子流程如下：创建PCB文件→设置库路径→导入网表。创建PCB文件（1）建立一个全新PCBLayout文件，并对其命名。（2）命名方式：“项目名称+日期+版本状态”，名称中字母全部大写，以日期加上版本状态为后缀，用以区分设计文件进度。举例：ABC123_1031A1其中ABC123为项目名称，1031为日期，A1为版本状态，客户有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。设置库路径（1）将封装库文件放入LIB文件夹内或库文件内，由客户提供的封装及经我司封装组确认的封装可直接加入LIB文件夹内或库文件内，未经审核的封装文件，不得放入LIB文件夹内或库文件内。（2）对设计文件设置库路径，此路径指向该项目文件夹下的LIB文件夹或库文件，路径指向必须之一，禁止设置多指向路径。京晓科技与您分享PCB设计工艺以及技巧。

 DDR模块，DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM，中文名为“双倍数据率SDRAM”，是在SDRAM的基础上改进而来，人们习惯称为DDR，DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率，它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。（1）DDRSDRAM管脚功能说明：图6-1-5-1为512MDDR（8M×16bit×4Bank）的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟，DDR的所有命令信号，地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号，与SDRAM不同的是，在进行读写操作时CKE要保持为高电平，当CKE由高电平变为低电平时，器件进入断电模式（所有BANK都没有时）或自刷新模式（部分BANK时），当CKE由低电平变为高电平时，器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号，低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时，CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号，低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。PCB设计常用规则之Gerber参数设置。武汉哪里的PCB设计价格大全

DDR模块中管脚功能说明。襄阳正规PCB设计规范

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。襄阳正规PCB设计规范

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