恩施常规PCB设计怎么样

ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项：（1）测试点焊盘≥32mil；（2）测试点距离板边缘≥3mm；（3）相邻测试点的中心间距≥60Mil。（4）测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil，Chip器件焊盘边缘≥10mil，其它导体边缘≥12mil。（5）整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔，且在板子的对角线上非对称放置。（6）优先在焊接面添加ICT测试点，正面添加ICT测试点需经客户确认。（7）电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。（8）优先采用表贴焊盘测试点，其次采用通孔测试点，禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。（9）优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点，采用Stub方式添加ICT测试点时，Stub走线长不超过150Mil。（10）2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。（11）测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方，以防止被器件或物件覆盖。（12）差分信号增加测试点，必须对称添加，即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点PCB设计工艺上的注意事项是什么？恩施常规PCB设计怎么样

等长线处理等长线处理的步骤：检查规则设置→确定组内长线段→等长线处理→锁定等长线。（1）检查组内等长规则设置并确定组内基准线并锁定。（2）单端蛇形线同网络走线间距S≥3W，差分对蛇形线同网络走线间距≥20Mil。（3）差分线对内等长优先在不匹配端做补偿，其次在中间小凸起处理，且凸起高度＜1倍差分对内间距，长度＞3倍差分线宽，（4）差分线对内≤3.125G等长误差≤5mil，＞3.125G等长误差≤2mil。（5）DDR同组等长：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客户有要求或者芯片有特殊要求时按特殊要求。（6）优先在BGA区域之外做等长线处理。（7）有源端匹配的走线必须在靠近接收端一侧B段做等长处理，（8）有末端匹配的走线在A段做等长线处理，禁止在分支B段做等长处理（9） T型拓扑走线，优先在主干走线A段做等长处理，同网络分支走线B或C段长度＜主干线A段长度,且分支走线长度B、C段误差≤10Mil，（10） Fly-By型拓扑走线，优先在主干走线A段做等长处理，分支线B、C、D、E段长度＜500Mil咸宁哪里的PCB设计销售电话不同存储容量及不同数据宽度的器件有所不同。

电源模块摆放电源模块要远离易受干扰的电路，如ADC、DAC、RF、时钟等电路模块，发热量大的电源模块，需要拉大与其它电路的距离，与其他模块的器件保持3mm以上的距离。不同模块的用法电源，靠近模块摆放，负载为整板电源供电的模块优先摆放在总电源输入端。其它器件摆放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板边摆放，便于插拔,客户有指定位置除外。（2）驱动电路靠近接口摆放。（3）测温电路靠近发热量大的电源模块或功耗比较高的芯片摆放,摆放时确定正反面。（4）光耦、继电器、隔离变压器、共模电感等隔离器件的输入输出模块分开摆放,隔离间距40Mil以上。（5）热敏感元件（电解电容、晶振）远离大功率的功能模块、散热器，风道末端，器件丝印边沿距离＞400Mil。

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。什么是模拟电源和数字电源？

DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号，如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构，分支端靠近信号的接收端，串联电阻靠近驱动端放置（5mm以内），并联电阻靠近接收端放置（5mm以内），布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线（远端分支结构）的等长范围为≤200Mil。5、对于地址、控制信号的参考差分时钟信号CK\CK#的拓扑结构，布局时串联电阻靠近驱动端放置，并联电阻靠近接收端放置，布线时要考虑差分线对内的平行布线及等长(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供电电源是2.5V，对于控制芯片及DDR芯片，为每个IO2.5V电源管脚配备退耦电容并靠近管脚放置，在允许的情况下多扇出几个孔，同时芯片配备大的储能大电容；对于1.25VVTT电源，该电源的质量要求非常高，不允许出现较大纹波，1.25V电源输出要经过充分的滤波，整个1.25V的电源通道要保持低阻抗特性，每个上拉至VTT电源的端接电阻为其配备退耦电容。京晓科技与您分享PCB设计工艺以及技巧。恩施常规PCB设计怎么样

PCB设计中PCI-E接口通用设计要求有哪些？恩施常规PCB设计怎么样

整板扇出（1）对板上已处理的表层线和过孔按照规则进行相应的调整。（2）格点优先选用25Mil的，其次采用5Mil格点，过孔扇出在格点上，相同器件过孔走线采用复制方式，保证过孔上下左右对齐、常见分立器件的扇出形式（3）8MIL过孔中心间距35MIL以上，10MIL过孔中心间距40MIL以上，以免将平面层隔断；差分过孔间距一般为30Mil（或过孔边缘距为8Mil）。（4）芯片电源管脚先过电容再打过孔（5）所有电源/地管脚就近打孔，高速差分过孔附近30-50Mil内加回流地孔，模块内通过表层线直连，无法连接的打过孔处理。（6）电源输出过孔打在输出滤波电容之后，电源输入过孔扇出在输入滤波电容之前，过孔数目满足电源载流要求，过孔通流能力参照，地孔数不少于电源过孔数。恩施常规PCB设计怎么样

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