黄冈PCB设计规范

布线优化布线优化的步骤：连通性检查→DRC检查→STUB残端走线及过孔检查→跨分割走线检查→走线串扰检查→残铜率检查→走线角度检查。（1）连通性检查：整板连通性为100%，未连接网络需确认并记录《项目设计沟通记录》中。（2）整板DRC检查：对整板DRC进行检查、修改、确认、记录。（3）Stub残端走线及过孔检查：整板检查Stub残端走线及孤立过孔并删除。（4）跨分割区域检查：检查所有分隔带区域，并对在分隔带上的阻抗线进行调整。（5）走线串扰检查：所有相邻层走线检查并调整。（6）残铜率检查：对称层需检查残铜率是否对称并进行调整。（7）走线角度检查：整板检查直角、锐角走线。PCB布局设计中布线的设计技巧。黄冈PCB设计规范

丝印调整，子流程：设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式，字符的宽度/高度：1/3盎司、1/2盎司（基铜）：4/23Mil(推荐设计成4/25Mil)；1盎司（基铜）：5/30Mil；2盎司(基铜)：6/45Mil；字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符（1）字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil，距离板边≥10Mil；任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。（2）丝印字符阴字线宽≥8mil；（3）字符只能有两个方向，排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右，从下到上。（4）字符的位号要与器件一一对应，不能颠倒、变换顺序，每个元器件上必须标出位号不可缺失，对于高密度板，可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示，如下图所示。字符摆放完成后，逐个高亮器件，确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。孝感了解PCB设计布局京晓科技与您分享等长线处理的具体步骤。

生成Gerber文件（1）生成Gerber文件：根据各EDA软件操作，生成Gerber文件。（2）检查Gerber文件：检查Gerber文件步骤：种类→数量→格式→时间。Gerber文件种类及数量：各层线路、丝印层、阻焊层、钢网层、钻孔表、IPC网表必须齐全且不能重复。盲埋孔板或背钻板输出的钻孔文件个数与孔的类型有关，有多少种盲埋孔或背钻孔，就会对应有多少个钻孔文件，要注意核实确认。Gerber文件格式：Mentor、Allegro、AD、Pads依据各EDA设计软件操作手册生成。所有Gerber文件生成时间要求保持在连续5分钟以内。 IPC网表自检将Gerber文件导入CAM350软件进行IPC网表比，IPC网表比对结果与PCB连接状态一致，无开、短路存在，客户有特殊要求的除外。

SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步：是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输，不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟，CLK由SDRAM控制芯片（如CPU）输出，数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存，CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作，即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步：由外部时钟给系统提供参考时钟，数据从发送到接收需要两个时钟，一个锁存发送数据，一个锁存接收数据，在一个时钟周期内完成，对于SDRAM及其控制芯片，参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生，此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求，即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。晶体电路布局布线要求有哪些？

SDRAM模块SDRAM介绍：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步动态随机存储器）的简称，是使用很的一种存储器，一般应用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指时钟频率与SDRAM控制器如CPU前端其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同，并且内部命令的发送和数据的传输都以它为准；动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性一次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。为了配合SDRAM控制芯片的总线位宽，必须配合适当数量的SDRAM芯片颗粒，如32位的CPU芯片，如果用位宽16bit的SDRAM芯片就需要2片，而位宽8bit的SDRAM芯片则就需要4片。是某厂家的SDRAM芯片封装示意图，图中列出了16bit、8bit、4bit不同位宽的信号网络管脚分配情况以及信号网络说明。PCB设计中等长线处理方式技巧有哪些？宜昌什么是PCB设计原理

DDR3的PCB布局布线要求是什么？黄冈PCB设计规范

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。黄冈PCB设计规范

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