电气方面注意事项(1)TVS管、ESD、保险丝等保护器件靠近接口放置;(2)热敏器件远离大功率器件布局;(3)高、中、低速器件分区布局;(4)数字、模拟器件分区布局;(5)电源模块、模拟电路、时钟电路、射频电路、隔离器件布局按器件资料;(6)串联电阻靠近源端放置;串联电容靠近末端放置;并联电阻靠近末端放置;(7)退藕电容靠近芯片的电源管脚;(8)接口电路靠近接口;(9)充分考虑收发芯片距离,以便走线长度满足要求;(10)器件按原理图摆一起;(11)二极管、LED等极性与原理图应保持一致。SDRAM 的PCB布局布线要求是什么?湖北哪里的PCB设计厂家
ICT测试点添加ICT测试点添加注意事项:(1)测试点焊盘≥32mil;(2)测试点距离板边缘≥3mm;(3)相邻测试点的中心间距≥60Mil。(4)测试点边缘距离非Chip器件本体边缘≥20mil,Chip器件焊盘边缘≥10mil,其它导体边缘≥12mil。(5)整板必须有3个孔径≥2mm的非金属化定位孔,且在板子的对角线上非对称放置。(6)优先在焊接面添加ICT测试点,正面添加ICT测试点需经客户确认。(7)电源、地网络添加ICT测试点至少3个以上且均匀放置。(8)优先采用表贴焊盘测试点,其次采用通孔测试点,禁止直接将器件通孔管脚作为测试点使用。(9)优先在信号线上直接添加测试点或者用扇出的过孔作为测试点,采用Stub方式添加ICT测试点时,Stub走线长不超过150Mil。(10)2.5Ghz以上的高速信号网络禁止添加测试点。(11)测试点禁止在器件、散热片、加固件、拉手条、接插件、压接件、条形码、标签等正下方,以防止被器件或物件覆盖。(12)差分信号增加测试点,必须对称添加,即同时在差分线对的两个网络的同一个地方对称加测试点武汉打造PCB设计功能PCB设计工艺的规则和技巧。
通过规范PCBLayout服务操作要求,提升PCBLayout服务质量和保证交期的目的。适用范围适用于我司PCBLayout业务。文件维护部门设计部。定义与缩略语(1)PCBLayout:利用EDA软件将逻辑原理图设计为印制电路板图的全过程。(2)PCB:印刷电路板。(3)理图:一般由原理图设计工具绘制,表达硬件电路中各种器件之间的连接关系的图。(4)网表:一般由原理图设计工具自动生成的,表达元器件电气连接关系的文本文件,一般包含元器件封装,网络列表和属性定义等部分。(5)布局:PCB设计过程中,按照设计要求、结构图和原理图,把元器件放置到板上的过程。(6)布线:PCB设计过程中,按照设计要求对信号进行走线和铜皮处理的过程。
丝印调整,子流程:设置字符格式→调整器件字符→添加特殊字符→添加特殊丝印。设置字符格式,字符的宽度/高度:1/3盎司、1/2盎司(基铜):4/23Mil(推荐设计成4/25Mil);1盎司(基铜):5/30Mil;2盎司(基铜):6/45Mil;字高与字符线宽之比≥6:1。调整器件字符(1)字符与阻焊的间距≥6Mil。字符之间的距离≥6Mil,距离板边≥10Mil;任何字符不能重叠且不能被元器件覆盖。(2)丝印字符阴字线宽≥8mil;(3)字符只能有两个方向,排列应遵循正视时位号的字母数字排序为从左到右,从下到上。(4)字符的位号要与器件一一对应,不能颠倒、变换顺序,每个元器件上必须标出位号不可缺失,对于高密度板,可将位号标在PCB其他有空间的位置,用箭头加图框表示或者字符加图框表示,如下图所示。字符摆放完成后,逐个高亮器件,确认位号高亮顺序和器件高亮顺序一致。屏蔽腔的设计具体步骤流程。
添加特殊字符(1)靠近器件管脚摆放网络名,摆放要求同器件字符,(2)板名、版本丝印:放置在PCB的元件面,水平放置,比元件位号丝印大(常规丝印字符宽度10Mil,高度80Mil);扣板正反面都需要有板名丝印,方便识别。添加特殊丝印(1)条码:条码位置应靠近PCB板名版本号,且长边必须与传送方向平行,区域内不能有焊盘直径大于0.5mm的导通孔,如有导通孔则必须用绿油覆盖。条码位置必须符合以下要求,否则无法喷码或贴标签。1、预留区域为涂满油墨的丝印区。2、尺寸为22.5mmX6.5mm。3、丝印区外20mm范围内不能有高度超过25mm的元器件。2)其他丝印:所有射频PCB建议添加标准“RF”的丝印字样。对于过波峰焊的过板方向有明确规定的PCB,如设计了偷锡焊盘、泪滴焊盘或器件焊接方向,需要用丝印标示出过板方向。如果有扣板散热器,要用丝印将扣板散热器的轮廓按真实大小标示出来。放静电标记的优先位置是PCB的元件面,采用标准的封装库。在板名旁留出生产序列号的空间,字体格式、大小由客户确认。PCB设计布局的整体思路是什么?武汉定制PCB设计价格大全
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存储模块介绍:存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等,其中DDR系列用的是多的,其DDR-DDR4的详细参数如下:DDR采用TSSOP封装技术,而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大,呈长方形,其优点是成本低、工艺要求不高,缺点是传导效果差,容易受干扰,散热不理想,而FBGA内存颗粒精致小巧,体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一,有效地缩短信号传输距离,在抗干扰、散热等方面更有优势,而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量,封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高,从DDR到DDR2再到DDR3内存,其制造工艺都在不断改善,更高工艺水平会使内存电气性能更好,成本更低;DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺,而DDR2采用了0.09微米制造工艺,DDR3则采用了全新65nm制造工艺,而DDR4使用20nm以下的工艺来制造,从DDR~DDR4的具体参数如下表所示。湖北哪里的PCB设计厂家
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