台积电近在一次年度活动中表示,其工艺路线图中已添加了N5P工艺和更多**的封装技术细节,以便在硅片上发掘更多进步空间。在前沿的7、7+、6、5和5+工艺之中选择一条路径来发展已经变得越来越复杂,但台积电技术开发高等副总裁Yuh-JierMii对大约两千名与会者表示,“好消息是我们在可预见的未来仍然看得到发展空间。”台积电在宣布5nm工艺之后的一年即开始进入6nm试产。上周,台积电首席执行官CCWei甚至在台积电的新闻中开了一个关于6nm的笑话,“我不得不问我的研发人员,你们到底在想什么?是为了好玩吗?”他在一次主题演讲中还打趣道。“下次,如果我发布,你们应该不会感到惊讶了。”台积电的N5工艺在3月开始试产,与现在已量产的N7相比,N5工艺密度提升了80%,速度提高了15%,功耗降低了30%。采用新的eLVT晶体管后,其速度增益更可高达25%。而明年投入试产的N5P与N5采用相同的设计规则,可以再提高7%的速度或降低15%的功耗。其增益部分来自对全应变高移动性通道(fullystr**nedhigh-mobilitychannel)的增强。台积电还展示了一款N5晶圆,其用于制造SRAM的产率超过90%,新的晶圆厂Fab18一期工程结束后逻辑产率将超过80%。Fab18二期和三期工程外壳主体还在建设中。SMT 贴片加工,锡膏作墨,元件为笔,绘制智能硬件蓝图。闵行区新型的SMT贴片加工哪家强
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