中清航科MIL-STD-883认证产线实现金锡共晶焊接工艺。在宇航级FPGA封装中，气密封装漏率<5×10⁻⁸atm·cc/s，耐辐照总剂量达100krad。三防涂层通过96小时盐雾试验，服务12个卫星型号项目。中清航科推出玻璃基板中介层技术，介电常数低至5.2@10GHz。通过TGV玻璃通孔实现光子芯片与电芯片混合集成，耦合损耗<1dB。该平台已用于CPO共封装光学引擎开发，传输功耗降低45%。中清航科建立全维度失效分析实验室。通过3DX-Ray实时监测BGA焊点裂纹，结合声扫显微镜定位分层缺陷。其加速寿命测试模型可精确预测封装产品在高温高湿（85℃/85%RH）条件下的10年失效率。中清航科芯片封装技术，支持多引脚设计，满足芯片高集成度需求。上海半导体焊接封装
面对量子比特超导封装难题，中清航科开发蓝宝石基板微波谐振腔技术。通过超导铝薄膜微加工，实现5GHz谐振频率下Q值＞100万，比特相干时间提升至200μs。该方案已用于12量子比特模块封装，退相干率降低40%，为量子计算机提供稳定基础。针对AI边缘计算需求，中清航科推出近存计算3D封装。将RRAM存算芯片与逻辑单元垂直集成，互连延迟降至0.1ps/mm。实测显示ResNet18推理能效达35TOPS/W，较传统方案提升8倍，满足端侧设备10mW功耗要求。江苏qfn封装微型芯片封装难度大，中清航科微缩技术，实现小体积承载强性能。
中清航科超细间距倒装焊工艺突破10μm极限。采用激光辅助自对准技术，使30μm微凸点对位精度达±1μm。在CIS图像传感器封装中，该技术消除微透镜偏移问题，提升低光照下15%成像质量。中清航科开发出超薄中心less基板，厚度100μm。通过半加成法（mSAP）实现2μm线宽/间距，传输损耗低于0.3dB/mm@56GHz。其5G毫米波AiP天线封装方案已通过CTIAOTA认证，辐射效率达72%。为响应欧盟RoHS2.0标准，中清航科推出无铅高可靠性封装方案。采用Sn-Bi-Ag合金凸点，熔点138℃且抗跌落性能提升3倍。其绿色电镀工艺使废水重金属含量降低99%，获三星Eco-Partner认证。
芯片封装的发展历程：自20世纪80年代起，芯片封装技术历经多代变革。从早期的引脚插入式封装，如DIP（双列直插式封装），发展到表面贴片封装，像QFP（塑料方形扁平封装）、PGA（针栅阵列封装）等。而后，BGA（球栅阵列封装）、MCP（多芯片模块）、SIP（系统级封装）等先进封装形式不断涌现。中清航科紧跟芯片封装技术发展潮流，不断升级自身技术工艺，在各个发展阶段都积累了丰富经验，能为客户提供符合不同时期技术标准和市场需求的封装服务。中清航科芯片封装创新，以客户需求为导向，定制化解决行业痛点难题。
常见芯片封装类型-PQFP：PQFP是塑料方形扁平封装，常用于大规模或超大型集成电路，引脚数一般在100个以上。该封装形式引脚间距小、管脚细，需采用SMD（表面安装设备技术）将芯片与主板焊接。这种方式使得芯片在主板上无需打孔，通过主板表面设计好的焊点即可完成焊接，且拆卸需用工具。PQFP适用于高频使用，操作方便、可靠性高，芯片面积与封装面积比值小。中清航科的PQFP封装技术在行业内颇具优势，能满足客户对芯片高频性能及小型化的需求，广泛应用于通信、消费电子等领域。中清航科芯片封装工艺，通过自动化升级，提升一致性降低不良率。上海to-522封装
中清航科芯片封装方案，适配边缘计算设备，平衡性能与功耗需求。上海半导体焊接封装
为应对Chiplet集成挑战，中清航科推出自主知识产权的混合键合（HybridBonding）平台。采用铜-铜直接键合工艺，凸点间距降至5μm，互连密度达10⁴/mm²。其测试芯片在16核处理器集成中实现8Tbps/mm带宽，功耗只为传统方案的1/3。中清航科研发的纳米银烧结胶材料突破高温封装瓶颈。在SiC功率模块封装中，烧结层导热系数达250W/mK，耐受温度600℃，使模块寿命延长5倍。该材料已通过ISO26262认证，成为新能源汽车OBC充电模组优先选择方案。上海半导体焊接封装
