中清航科推出SI/PI协同仿真平台，集成电磁场-热力多物理场分析。在高速SerDes接口设计中，通过优化封装布线减少35%串扰，使112GPAM4信号眼图高度提升50%。该服务已帮助客户缩短60%设计验证周期。中清航科自主开发的AMB活性金属钎焊基板，热导率达180W/mK。结合银烧结工艺的IGBT模块，热循环寿命达5万次以上。在光伏逆变器应用中，另功率循环能力提升3倍，助力客户产品质保期延长至10年。通过整合CP测试与封装产线，中清航科实现KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量产中采用动态测试分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽车电子测试仓温度范围覆盖-65℃~175℃，支持功能安全诊断。中清航科专注芯片封装，通过材料革新让微型化与高效能兼得。浙江芯片封装qfn
面对卫星载荷严苛的空间环境，中清航科开发陶瓷多层共烧（LTCC）MCM封装技术。采用钨铜热沉基底与金锡共晶焊接，实现-196℃~+150℃极端温变下热失配率＜3ppm/℃。通过嵌入式微带线设计将信号串扰抑制在-60dB以下，使星载处理器在单粒子翻转（SEU）事件率降低至1E-11errors/bit-day。该方案已通过ECSS-Q-ST-60-13C宇航标准认证，成功应用于低轨卫星星务计算机，模块失效率＜50FIT（10亿小时运行故障率）。针对万米级深海探测装备的100MPa超高压环境，中清航科金属-陶瓷复合封装结构。采用氧化锆增韧氧化铝（ZTA）陶瓷环与钛合金壳体真空钎焊，实现漏率＜1×10⁻¹⁰Pa·m³/s的密封。内部压力补偿系统使腔体形变＜0.05%，保障MEMS传感器在110MPa压力下精度保持±0.1%FS。耐腐蚀镀层通过3000小时盐雾试验，已用于全海深声呐阵列封装，在马里亚纳海沟实现连续500小时无故障探测。上海封装陶瓷管壳参数中清航科聚焦芯片封装，用绿色工艺，降低生产过程中的能耗与排放。
常见芯片封装类型-DIP：DIP即双列直插式封装，是较为早期且常见的封装形式。它的绝大多数中小规模集成电路芯片采用这种形式，引脚数一般不超过100个。采用DIP封装的芯片有两排引脚，可插入具有DIP结构的芯片插座，也能直接焊接在有对应焊孔的电路板上。其优点是适合PCB上穿孔焊接，操作方便；缺点是封装面积与芯片面积比值大，体积较大。中清航科在DIP封装业务上技术成熟，能以高效、稳定的生产流程，为对成本控制有要求且对芯片体积无严苛限制的客户，提供质优的DIP封装产品。
芯片封装的知识产权保护：在技术密集型的半导体行业，知识产权保护至关重要。中清航科高度重视知识产权保护，对自主研发的封装技术、工艺和设计方案等及时申请专利，构建完善的知识产权体系。同时，公司严格遵守行业知识产权规则，尊重他人知识产权，避免侵权行为。通过加强知识产权保护，既保护了公司的创新成果，也为客户提供了无知识产权风险的产品和服务。中清航科的国际化布局：为拓展市场空间，提升国际影响力，中清航科积极推进国际化布局。公司在海外设立了分支机构和服务中心，与国际客户建立直接合作关系，了解国际市场需求和技术趋势。通过参与国际展会、技术交流活动，展示公司的先进技术和产品，吸引国际合作伙伴。国际化布局不仅让中清航科获得更广阔的市场，也能为国内客户提供与国际接轨的封装服务。中清航科芯片封装工艺，通过材料复合创新，平衡硬度与柔韧性需求。
中清航科部署封装数字孪生系统，通过AI视觉检测实现微米级缺陷捕捉。在BGA植球工艺中，球径一致性控制±3μm，位置精度±5μm。智能校准系统使设备换线时间缩短至15分钟，产能利用率提升至90%。针对HBM内存堆叠需求，中清航科开发超薄芯片处理工艺。通过临时键合/解键合技术实现50μm超薄DRAM晶圆加工，4层堆叠厚度400μm。其TSV深宽比达10:1，阻抗控制在30mΩ以下，满足GDDR6X1TB/s带宽要求。中清航科可拉伸封装技术攻克可穿戴设备难题。采用蛇形铜导线与弹性体基底结合，使LED阵列在100%拉伸形变下保持导电功能。医疗级生物相容材料通过ISO10993认证，已用于动态心电图贴片量产。先进封装需多学科协同，中清航科跨领域团队，攻克材料与结构难题。江苏陶瓷烧结封装
芯片封装测试环节关键，中清航科全项检测，确保出厂芯片零缺陷。浙江芯片封装qfn
芯片封装材料的选择：芯片封装材料的选择直接影响封装性能与成本。常见的封装材料有塑料、陶瓷、金属等。塑料封装成本低、工艺简单，适用于多数民用电子产品；陶瓷封装散热性好、可靠性高，常用于航天等领域；金属封装则在电磁屏蔽方面表现优异。中清航科在材料选择上拥有丰富经验，会根据客户产品的应用场景、性能需求及成本预算，为其推荐合适的封装材料，并严格把控材料质量，从源头确保封装产品的可靠性。例如，针对航天领域客户，中清航科会优先选用高性能陶瓷材料，保障芯片在极端环境下稳定工作。浙江芯片封装qfn
