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nGaAs是由两种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料组成的三元系半导体化合物,它的带隙随组分比例的变化而变化。基于此材料制备的IR探测器,其响应截止波长可达到3μm以上,响应范围完全覆盖NIR波段,是该波段探测器团体里**重要的成员。在该体系下,其他化合物性能如下图所示:与其它的常用IR探测器相比,InGaAs探测器的兴起较晚,在上世纪80年代才开始走进人类的视野。近年来,得益于NIR成像的强势崛起,InGaAs的发展势头也十分迅猛。在实际生产中,一般将InGaAs材料生长在磷化铟(InP)衬底上,红外热像仪两者的晶格失配度也会随InGaAs组分的变化而变化。福禄克红外热像仪批发目前电力行业是我国民用红外热像仪应用**多的行业,国内大多数红外公司都是靠这个吃饭。

受限于俄歇复合的存在,红外热像仪HgCdTe探测器的在室温下的性能较差,如何降低HgCdTe材料内俄歇复合的几率是HgCdTe探测器发展道路上亟需攻克的一大难题。HgCdTe FPA探测器在气象和海洋监视、***侦察、导弹预警以及天文观测等许多方面都有无可替代的重要地位。我国***的风云气象卫星系列都装备了HgCdTe FPA探测器用于获取全球气象资料,为数值天气预报业务的实施和各种灾害性天气的预警预报提供了强有力的数据支持,为我国在全球范围内实现高时效性的高精度成像观测能力、高精度的大气温湿度垂直分布探测能力奠定了坚实的基础。
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(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟。在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位。下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减。InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商。红外热像仪在*****上的重要应用热像仪之前做过多篇介绍,这期重点讲讲民品应用。德国Optris红外热像仪代理品牌
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截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料。与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段。HgCdTe探测器在NIR、MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主。然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位。感应加热炉红外热像仪附件