黄冈设计PCB设计包括哪些

 射频、中频电路（2）屏蔽腔的设计1、应把不同模块的射频单元用腔体隔离，特别是敏感电路和强烈辐射源之间，在大功率多级放大器中，也应保证级与级之间隔开。2、印刷电路板的腔体应做开窗处理、方便焊接屏蔽壳。3、在屏蔽腔体上设计两排开窗过孔屏，过孔应相互错开，同排过孔间距为150Mil。4、在腔体的拐角处应设计3mm的金属化固定孔，保证其固定屏蔽壳。5、腔体的周边为密封的，一般接口的线要引入腔体里采用带状线的结构；而腔体内部不同模块之间可以采用微带线的结构，这样内部的屏蔽腔采用开槽处理，开槽的宽度一般为3mm、微带线走在中间。6、屏蔽罩设计实例如何梳理PCB设计布局模块框图？黄冈设计PCB设计包括哪些

规则设置子流程：层叠设置→物理规则设置→间距规则设置→差分线规则设置→特殊区域规则设置→时序规则设置◆层叠设置：根据《PCB加工工艺要求说明书》上的层叠信息，在PCB上进行对应的规则设置。◆物理规则设置（1）所有阻抗线线宽满足《PCB加工工艺要求说明书》中的阻抗信息，非阻抗线外层6Mil,内层5Mil。（2）电源/地线：线宽>=15Mil。（3）整板过孔种类≤2,且过孔孔环≥4Mil，Via直径与《PCBLayout工艺参数》一致，板厚孔径比满足制造工厂或客户要求，过孔设置按《PCBLayout工艺参数》要求。◆间距规则设置：根据《PCBLayout工艺参数》中的间距要求设置间距规则，阻抗线距与《PCB加工工艺要求说明书》要求一致。此外，应保证以下参数与《PCBLayout工艺参数》一致，以免短路：（1）内外层导体到安装孔或定位孔边缘距离；（2）内外层导体到邮票孔边缘距离；（3）内外层导体到V-CUT边缘距离；（4）外层导体到导轨边缘距离；（5）内外层导体到板边缘距离；◆差分线规则设置（1）满足《PCB加工工艺要求说明书》中差分线的线宽/距要求。（2）差分线信号与任意信号的距离≥20Mil。鄂州专业PCB设计规范京晓科技与您分享PCB设计工艺以及技巧。

等长线处理等长线处理的步骤：检查规则设置→确定组内长线段→等长线处理→锁定等长线。（1）检查组内等长规则设置并确定组内基准线并锁定。（2）单端蛇形线同网络走线间距S≥3W，差分对蛇形线同网络走线间距≥20Mil。（3）差分线对内等长优先在不匹配端做补偿，其次在中间小凸起处理，且凸起高度＜1倍差分对内间距，长度＞3倍差分线宽，（4）差分线对内≤3.125G等长误差≤5mil，＞3.125G等长误差≤2mil。（5）DDR同组等长：DATA≤800M按±25mil，DATA＞800M按±5mil；ADDR按±100mil；DDR2的DQS和CLK按±500mil；QDR按±25mil；客户有要求或者芯片有特殊要求时按特殊要求。（6）优先在BGA区域之外做等长线处理。（7）有源端匹配的走线必须在靠近接收端一侧B段做等长处理，（8）有末端匹配的走线在A段做等长线处理，禁止在分支B段做等长处理（9） T型拓扑走线，优先在主干走线A段做等长处理，同网络分支走线B或C段长度＜主干线A段长度,且分支走线长度B、C段误差≤10Mil，（10） Fly-By型拓扑走线，优先在主干走线A段做等长处理，分支线B、C、D、E段长度＜500Mil

DDR与SDRAM信号的不同之处，1、DDR的数据信号与地址\控制信号是参考不同的时钟信号，数据信号参考DQS选通信号，地址\控制信号参考CK\CK#差分时钟信号；而SDRAM信号的数据、地址、控制信号是参考同一个时钟信号。2、数据信号参考的时钟信号即DQS信号是上升沿和下降沿都有效，即DQS信号的上升沿和下降沿都可以触发和锁存数据，而SDRAM的时钟信号只有在上升沿有效，相对而言DDR的数据速率翻倍。3、DDR的数据信号通常分成几组，如每8位数据信号加一位选通信号DQS组成一组，同一组的数据信号参考相同组里的选通信号。4、为DDRSDRAM接口同步工作示意图，数据信号与选通信号分成多组，同组内的数据信号参考同组内的选通信号；地址、控制信号参考CK\CK#差分时钟信号。京晓科技教您如何设计PCB。

结构绘制结构绘制子流程如下：绘制单板板框→绘制结构特殊区域及拼板→放置固定结构件。1.1.1绘制单板板框（1）将结构图直接导入PCB文件且测量尺寸，确认结构图形中结构尺寸单位为mm，显示比例为1：1等大。（2）设计文件中，单位为mm，则精度为小数点后4位；单位为Mil，则精度为小数点后2位，两种单位之间转换至多一次，特殊要求记录到《项目设计沟通记录》中。（3）导入结构图形并命名。（4）导入的结构图形层命名方式为DXF_日期+版本，举例：DXF_1031A1，线宽为0Mil。（5）结构图形导入后应在EDA设计软件视界正中，若偏移在一角，应整体移动结构图形，使之位于正中。（6）根据结构图形，绘制外形板框，板框与结构文件完全一致且重合，并体现在EDA设计软件显示层。（7）确定坐标原点，坐标原点默认为单板左边与下边延长线的交点，坐标原点有特殊要求的记录到《项目设计沟通记录》中。（8）对板边的直角进行倒角处理，倒角形状、大小依据结构图绘制，如无特殊要求，默认倒圆角半径为1.5mm，工艺边外沿默认倒圆角，半径为1.5mm并记录到《项目设计沟通记录》邮件通知客户确认。（9）板框绘制完毕，赋予其不可移动，不可编辑属性。时钟驱动器的布局布线要求。荆州专业PCB设计布局

PCB设计布局以及整体思路。黄冈设计PCB设计包括哪些

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。黄冈设计PCB设计包括哪些

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