襄阳了解PCB设计包括哪些

整板布线，1）所有焊盘必须从中心出线,线路连接良好，（2）矩形焊盘出线与焊盘长边成180度角或0度角出线，焊盘内部走线宽度必须小于焊盘宽度，BGA焊盘走线线宽不大于焊盘的1/2，走线方式，（3）所有拐角处45度走线，禁止出现锐角和直角走线，（4）走线到板边的距离≥20Mil，距离参考平面的边沿满足3H原则，（5）电感、晶体、晶振所在器件面区域内不能有非地网络外的走线和过孔。（6）光耦、变压器、共模电感、继电器等隔离器件本体投影区所有层禁止布线和铺铜。（7）金属壳体正下方器件面禁止有非地网络过孔存在，非地网络过孔距离壳体1mm以上。（8）不同地间或高低压间需进行隔离。（9）差分线需严格按照工艺计算的差分线宽和线距布线；（10）相邻信号层推荐正交布线方式，无法正交时，相互错开布线，（11）PCB LAYOUT中的拓扑结构指的是芯片与芯片之间的连接方式，不同的总线特点不一样，所采用的拓扑结构也不一样，多拓扑的互连。关键信号的布线应该遵循哪些基本原则？襄阳了解PCB设计包括哪些

PCBLAYOUT规范PCBLayout整个流程是：网表导入-结构绘制-设计规划-布局-布线-丝印调整-Gerber输出。1.1网表导入网表导入子流程如下：创建PCB文件→设置库路径→导入网表。创建PCB文件（1）建立一个全新PCBLayout文件，并对其命名。（2）命名方式：“项目名称+日期+版本状态”，名称中字母全部大写，以日期加上版本状态为后缀，用以区分设计文件进度。举例：ABC123_1031A1其中ABC123为项目名称，1031为日期，A1为版本状态，客户有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。设置库路径（1）将封装库文件放入LIB文件夹内或库文件内，由客户提供的封装及经我司封装组确认的封装可直接加入LIB文件夹内或库文件内，未经审核的封装文件，不得放入LIB文件夹内或库文件内。（2）对设计文件设置库路径，此路径指向该项目文件夹下的LIB文件夹或库文件，路径指向必须之一，禁止设置多指向路径。荆门如何PCB设计走线晶振电路的布局布线要求。

DDR2模块相对于DDR内存技术（有时称为DDRI），DDRII内存可进行4bit预读取。两倍于标准DDR内存的2BIT预读取，这就意味着，DDRII拥有两倍于DDR的预读系统命令数据的能力，因此，DDRII则简单的获得两倍于DDR的完整的数据传输能力；DDR采用了支持2.5V电压的SSTL-2电平标准，而DDRII采用了支持1.8V电压的SSTL-18电平标准；DDR采用的是TSOP封装，而DDRII采用的是FBGA封装，相对于DDR，DDRII不仅获得的更高的速度和更高的带宽，而且在低功耗、低发热量及电器稳定性方面有着更好的表现。DDRII内存技术比较大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDRII可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

电源、地处理，（1）不同电源、地网络铜皮分割带优先≥20Mil，在BGA投影区域内分隔带小为10Mil。（2）开关电源按器件资料单点接地，电感下不允许走线；（3）电源、地网络铜皮的最小宽度处满足电源、地电流大小的通流能力，参考4.8铜皮宽度通流表。（4）电源、地平面的换层处过孔数量必须满足电流载流能力，参考4.8过孔孔径通流表。（5）3个以上相邻过孔反焊盘边缘间距≥4Mil，禁止出现过孔割断铜皮的情况，（6）模拟电源、模拟地只在模拟区域划分，数字电源、数字地只在数字区域划分，投影区域在所有层面禁止重叠，如下如图所示。建议在模拟区域的所有平面层铺模拟地处理（7）跨区信号线从模拟地和数字地的桥接处穿过（8）电源层相对地层內缩必须≥20Mil，优先40Mil（9）单板孤立铜皮要逐一确认、不需要的要逐一删除（10）室温情况下，压差在10V以上的网络，同层必须满足安规≥20Mil要求，压差每增加1V,间距增加1Mil。（11）在叠层不对称时，信号层铺电源、地网络铜皮，且铜皮、铜线面积占整板总面积50%以上，以防止成品PCB翘曲。PCB设计中存储器有哪些分类？

存储模块介绍：存储器分类在我们的设计用到的存储器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的详细参数如下：DDR采用TSSOP封装技术，而DDR2和DDR3内存均采用FBGA封装技术。TSSOP封装的外形尺寸较大，呈长方形，其优点是成本低、工艺要求不高，缺点是传导效果差，容易受干扰，散热不理想，而FBGA内存颗粒精致小巧，体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一，有效地缩短信号传输距离，在抗干扰、散热等方面更有优势，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三维堆叠技术来增大单颗芯片容量，封装外形则与DDR2、DDR3差别不大。制造工艺不断提高，从DDR到DDR2再到DDR3内存，其制造工艺都在不断改善，更高工艺水平会使内存电气性能更好，成本更低；DDR内存颗粒大范围采用0.13微米制造工艺，而DDR2采用了0.09微米制造工艺，DDR3则采用了全新65nm制造工艺，而DDR4使用20nm以下的工艺来制造，从DDR～DDR4的具体参数如下表所示。PCB设计中FPGA管脚的交换注意事项。孝感高速PCB设计加工

PCB设计常用规则之Gerber参数设置。襄阳了解PCB设计包括哪些

导入网表（1）原理图和PCB文件各自之一的设计，在原理图中生成网表，并导入到新建PCBLayout文件中，确认网表导入过程中无错误提示，确保原理图和PCB的一致性。（2）原理图和PCB文件为工程文件的，把创建的PCB文件的放到工程中，执行更新网表操作。（3）将导入网表后的PCBLayout文件中所有器件无遗漏的全部平铺放置，所有器件在PCBLAYOUT文件中可视范围之内。（4）为确保原理图和PCB的一致性，需与客户确认软件版本，设计时使用和客户相同软件版本。（5）不允许使用替代封装，资料不齐全时暂停设计；如必须替代封装，则替代封装在丝印字符层写上“替代”、字体大小和封装体一样。襄阳了解PCB设计包括哪些

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