LPCVD设备中较少用的是旋转式LPCVD设备和行星式LPCVD设备，因为其具有结构复杂、操作困难、沉积速率低、产能小等缺点。旋转式LPCVD设备和行星式LPCVD设备的主要优点是可以通过旋转衬底来改善薄膜的均匀性和厚度分布。旋转式LPCVD设备和行星式LPCVD设备可以根据不同的旋转方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）单轴旋转式LPCVD设备，是指衬底只围绕一个轴旋转；（2）双轴旋转式LPCVD设备，是指衬底围绕两个轴旋转；（3）多轴旋转式LPCVD设备，是指衬底围绕多个轴旋转。真空镀膜为产品带来持久的亮丽外观。真空镀膜加工
反应溅射是在溅射镀膜中，引入某些活性反应气体与溅射成不同于靶材的化合物薄膜。反应气体有Ｏ2、Ｎ2、ＣＨ4等。反应溅射的靶材可以是纯金属，也可以是化合物，反应溅射也可采用磁控溅射。如氮化铝薄膜可以采用磁控溅射铝靶材，气体通入一比一的氩气和氮气，反应溅射的优点是比直接溅射氮化铝靶材时间更快。磁控溅射可改变工作气体与氩气比例从而进行反应溅射，例如使用Si靶材，通入一定比例的N2，氩气作为工作气体，而氮气作为反应气体，能得到SiNx薄膜。通入氧气与氮气从而获得各种材料的氧化物与氮化物薄膜，通过改变反应气体与工作气体的比例也能对溅射速率进行调整，薄膜内组分也能相应调整。但反应气体过量时可能会造成靶中毒。等离子体增强气相沉积真空镀膜工艺热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化。
LPCVD设备中的薄膜材料在各个领域有着广泛的应用。例如：（1）多晶硅薄膜在微电子和太阳能领域有着重要的应用，如作为半导体器件的源漏极或栅极材料，或作为太阳能电池的吸收层或窗口层材料；（2）氮化硅薄膜在光电子和微机电领域有着重要的应用，如作为光纤或波导的折射率匹配层或包层材料，或作为微机电系统（MEMS）的结构层材料；（3）氧化硅薄膜在集成电路和传感器领域有着重要的应用，如作为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅介质层或通道层材料，或作为气体传感器或生物传感器的敏感层或保护层材料；（4）碳化硅薄膜在高温、高功率、高频率领域有着重要的应用，如作为功率器件或微波器件的基底材料或通道材料
热氧化是在一定的温度和气体条件下，使硅片表面氧化一定厚度的氧化硅的。主要有干法氧化和湿法氧化，干法氧化是在硅片表面通入氧气，硅片与氧化反应生成氧化硅，氧化速率比较慢，氧化膜厚容易控制。湿法氧化在炉管当中通入氧气和氢气，两者反应生长水蒸气，水蒸气与硅片表面反应生长氧化硅，湿法氧化，速率比较快，可以生长比较厚的薄膜。直流（DC）磁控溅射与气压的关系-在一定范围内提高离化率（尽量小的压强下维持高的离化率）、提高均匀性要增加压强和保证薄膜纯度、提高薄膜附着力要减小压强的矛盾，产生一个平衡。提供一个额外的电子源，而不是从靶阴极获得电子。实现低压溅射（压强小于0.1帕）。射频（RF）磁控溅射特点-射频方法可以被用来产生溅射效应的原因是它可以在靶材上产生自偏压效应。在射频溅射装置中，击穿电压和放电电压明显降低。不必再要求靶材一定要是导电体。衡量沉积质量的主要指标有均匀度、台阶覆盖率、沟槽填充程度。
首先，通过一个电子枪生成一个高能电子束。电子枪一般包括一个发射电子的热阴极（通常是加热的钨丝）和一个加速电子的阳极。电子枪的工作是通过电场和磁场将电子束引导并加速到目标材料。电子束撞击目标材料，将其能量转化为热能，使目标材料加热到蒸发温度。蒸发的材料原子或分子在真空中飞行到基板表面，并在那里冷凝，形成薄膜。因为这个过程在真空中进行，所以蒸发的原子或分子在飞行过程中基本不会与其他气体分子相互作用，这有助于形成高质量的薄膜。与其他低成本的PVD工艺相比，电子束蒸发还具有非常高的材料利用效率。电子束系统加热目标源材料，而不是整个坩埚，从而降低了坩埚的污染程度。通过将能量集中在目标而不是整个真空室上，它有助于减少对基板造成热损坏的可能性。可以使用多坩埚电子束蒸发器在不破坏真空的情况下应用来自不同目标材料的几层不同涂层，使其很容易适应各种剥离掩模技术。影响PECVD成膜质量的主要有：1.样片表面清洁度差；2.工艺腔体清洁度差；3.样品温度异常；广州真空镀膜涂料
真空镀膜过程中需严格控制电场强度。真空镀膜加工
LPCVD设备的设备构造可以根据不同的反应室形状和衬底放置方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）水平式LPCVD设备，是指反应室呈水平圆筒形，衬底水平放置在反应室内部或外部的托盘上，气体从一端进入，从另一端排出；（2）垂直式LPCVD设备，是指反应室呈垂直圆筒形，衬底垂直放置在反应室内部或外部的架子上，气体从下方进入，从上方排出；（3）旋转式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出；（4）行星式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转并围绕中心轴转动的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出。真空镀膜加工
