IGBT功率模块失效的主要原因是温度过高导致的热应力,良好的热管理对于IGBT功率模块稳定性和可靠性极为重要。可靠的散热设计与通畅的散热通道,可以快速有效地减少模块内部热量,以满足模块可靠性指标的要求。目前,车规级IGBT功率模块一般采用液冷散热,而液冷散热又分为间接液冷散热和直接液冷散热。间接液冷散热采用的是平底散热基板,基板下面涂一层导热硅脂,紧贴在液冷板上,液冷板内通冷却液,散热路径为:芯片-DBC基板-平底散热基板-导热硅脂-液冷板-冷却液。昆山性价比较好的IGBT液冷的公司联系电话。安徽专业IGBT液冷销售电话
IGBT是一种新型的半导体器件,作为新型功率半导体器件的主流器件,无论在工业、通信、3C电子等传统领域,还是轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域,IGBT都发挥着至关重要的作用。IGBT模块即是功率器件,其具有驱动电压低、功率处理能力强、开关频率高等优点。但也离不开热学特性,功率半导体模块的弱点是过压过热,因此,其处理热量的能力则会限制其高功率的应用。一,IGBT模块中的热管理IGBT因其高功率密度而产生大量热量,功率器件与散热器之间存在的空气间隙会产生非常大的接触热阻,增大两个界面之间的温差。为了确保IGBT模块高效、安全和稳定地工作,对其热管理技术也是新型产品设计和应用的重要环节。广东动力电池IGBT液冷供应商正和铝业致力于提供IGBT液冷,有想法的可以来电咨询!
一般用来降低界面接触热阻的方法是填充柔软的导热材料,即热界面材料(Thermal Interface Materials,TIM)。合理的选择TIM,不仅要考虑其热传导能力,还要兼顾生产中的工艺、维护操作性及长期可靠性。10℃法则表明:器件温度每降低10℃,可靠性增加1倍,目前由于IGBT因热失控而导致失效的现象较为为常见,可以说,大部分的IGBT功率半导体模块的失效原因都与热量有关,因此,可靠的热管理是保障IGBT长期使用的当务之急。IGBT的可靠性也成为目前行业研究的热点所在。
导热硅脂在 IGBT 典型应用是:硅芯片焊接在直接键合铜(DBC)层上,由夹在两个铜层之间的氮化铝层组成。DBC层焊接到铜底板上,导热硅脂用于底板和散热器之间的界面。导热硅脂是降低界面接触热阻的导热材料,厚度可达100微米(粘合线厚度或BLT),导热系数在0.4到10W/m·K之间。硅脂与液冷的这种应用方式,可减轻功率器件与散热器之间因空气间隙导致的接触热阻,平衡界面之间的温差。合理选择热界面材料导热硅脂,能够保护IGBT模块安全稳定运行。IGBT液冷,就选正和铝业,用户的信赖之选,欢迎您的来电哦!
1.间接液冷散热间接液冷散热采用的是平底散热基板,基板下面涂一层导热硅脂,紧贴在液冷板上,液冷板内通冷却液,散热路径为芯片-DBC基板-平底散热基板-导热硅脂-液冷板-冷却液。即芯片为发热源,热量主要通过DBC基板、平底散热基板、导热硅脂传导至液冷板,液冷板再通过液冷对流的方式将热量排出。2.直接液冷散热直接液冷散热采用的是针式散热基板,位于功率模块底部的散热基板增加了针翅状散热结构,可直接加上密封圈通过冷却液散热,散热路径为芯片-DBC基板-针式散热基板-冷却液,无需使用导热硅脂。该种方式使得IGBT功率模块与冷却液直接接触,模块整体热阻值可降低30%左右,且针翅结构提高了散热表面积,散热效率因此大幅提高,IGBT功率模块功率密度也可以设计的更高。正和铝业为您提供IGBT液冷。耐高温IGBT液冷研发
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大功率电子器件液冷散热需求近年来,电子器件的应用遍布各个领域。随着科技的发展,电子器件的微型化和集成化程度越来越高,且功率越来越大,导致器件的发热密度陡增,热问题凸显。据统计,绝大部分电子器件的损坏都是由于温度过热引发的,因此,大功率集成电子器件的散热问题严重影响电子器件的寿命和可靠性。这种情况下,简单的空气冷却形式不足以满足散热需求,而散热效率更高的液冷方案开始在大功率电子散热领域占据主要地位。安徽专业IGBT液冷销售电话