IXYS艾赛斯IXFN32N120

IXYN80N90C3H1 是 Ixys 艾赛斯一款专为高频应用设计的 IGBT 模块。它在 20 - 50kHz 的开关频率下表现***，特别适用于高频电源逆变器、开关电源模块等领域。该模块集成了反并联肖特基二极管，极大地提升了其在高频环境下的性能。在高频工作时，其低开关损耗特性明显，能够有效减少能量损耗，提高系统效率。同时，它具备强大的电流处理能力，*大持续电流可达 115A，确保在高负载情况下也能稳定运行。其方形的反向偏置安全工作区域，进一步保障了在复杂电路条件下操作的可靠性，为高频电力转换应用提供了优*的解决方案。于照明控制系统中，Ixys艾赛斯可控硅模块可对灯光亮度进行高效调节，满足不同场景需求。IXYS艾赛斯IXFN32N120

Ixys 艾赛斯自 1983 年成立以来，始终以 “高效节能、可靠稳定” 为**研发理念，其功率半导体模块凭借深厚的技术积累成为全球电力电子领域的**产品。不同于分立器件，Ixys 模块通过多芯片集成封装与系统级优化设计，实现了功率密度、散热性能与可靠性的三重突破，从根本上解决了大功率场景下的电路复杂、损耗过高、稳定性不足等痛点。产品覆盖 IGBT、二极管、可控硅、整流桥、MOS 管等全品类功率器件模块，电压等级跨度 50V-15kV，电流范围 1A-4000A，***适配工业、新能源、医疗、轨道交通等全场景电力控制需求，是现代电力电子系统的 “**动力单元”。IXYS艾赛斯IXFN32N120IXYS艾赛斯模块可定制耐盐雾、耐高温款，适配特殊环境需求。

Ixys 艾赛斯 MOS 管拥有完善的产品矩阵，按材料可分为硅基与 SiC 基；按结构可分为 N 沟道、P 沟道与超级结型；电压覆盖 100V-10kV，电流 1A-1000A，封装包括 TO 系列、SOP、QFN、MODULE 等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务：为航空航天设备定制轻量化、耐高温 MOS 管，为船舶系统定制耐盐雾腐蚀模块，为新能源车企定制高集成度逆变桥模块。同时，提供详尽的技术手册、仿真模型与应用笔记，专业技术团队提供从选型到调试的全流程支持，帮助客户快速落地方案。

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。Ixys艾赛斯场效应管开关速度超快，纳秒级响应特性，适配高频电力转换场景。

Ixys 艾赛斯模块封装技术经历了 “标准化 - 场景化 - 定制化” 的演进路径。早期以 TO 系列、MODULE 标准封装为主，满足通用场景需求；随后针对特定场景开发**封装，如为消费电子设计 SOP/QFN 小型化封装，为工业设备开发 SOT227B 紧凑型封装；如今则提供全维度定制服务，可根据客户需求调整引脚布局、散热方式、集成功能，甚至开发全新封装结构。例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀封装，为航空航天设备设计轻量化陶瓷金属封装，封装材料均通过 UL、IEC 认证，工作温度范围覆盖 - 55℃至 225℃。Ixys艾赛斯MOS管兼具高击穿电压与大电流容量，是大功率电子设备的重要器件之选。IXYS艾赛斯IXFN32N120

Ixys艾赛斯可控硅模块内部采用直接铜键合（DCB）氧化铝陶瓷基板，有效提高散热效率，延长使用寿命。IXYS艾赛斯IXFN32N120

Ixys 艾赛斯打破 “标准化器件” 思维，构建了从需求定义到落地运维的全流程定制服务体系。定制范围涵盖三方面：电气参数定制，如根据客户需求调整模块耐压、电流与开关速度；结构设计定制，包括封装尺寸、引脚布局与散热方式优化；功能集成定制，可集成驱动电路、保护元件与状态监测芯片。例如为某航空航天企业定制轻量化 SiC 模块，重量较标准款减轻 60%；为船舶制造商开发耐盐雾腐蚀模块，通过 1000 小时盐雾测试。同时，提供仿真模型、测试工装与现场调试支持，缩短客户研发周期。IXYS艾赛斯IXFN32N120