IXYS艾赛斯VUB120-16IO1

在工业变频器中，Ixys 艾赛斯二极管模块承担着整流与续流双重**角色。整流模块将电网交流电转换为直流电，为逆变器提供稳定的直流母线电压，其高浪涌耐受能力能应对电机启动时的电流冲击；续流二极管模块则与 IGBT 串联，在 IGBT 关断时为电机绕组的感性电流提供泄放回路，避免过压损坏 IGBT。模块的低正向压降特性降低了整流损耗，快恢复特性则减少了续流过程中的开关损耗，配合优异的散热设计，能适应变频器长期高负载运行的需求。无论是风机、水泵等通用变频场景，还是机床主轴等高精度变频控制，该模块都能提升变频器的效率与可靠性。Ixys艾赛斯可控硅模块紧凑的设计使得模块体积小巧，在节省空间的同时，不影响其强大的功能发挥。IXYS艾赛斯VUB120-16IO1

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。IXYS艾赛斯VUB120-16IO1Ixys艾赛斯产品覆盖IGBT、场效应管、整流桥等，为不同功率场景提供适配方案。

Ixys 艾赛斯作为功率半导体领域的**企业，其二极管模块延续了品牌在高效能、高可靠性上的技术基因，专为中高功率电力电子系统设计。不同于分立二极管，模块通过集成化封装将多颗二极管芯片组合，实现了更高的功率密度与更优的散热性能。**价值体现在对电能转换过程的精确调控 —— 无论是整流、续流还是箝位保护，都能凭借低正向压降、高反向耐压的特性降低能量损耗。从工业驱动到新能源发电，Ixys 二极管模块为各类系统提供了稳定的电流导向解决方案，是保障电力电子设备高效运行的关键器件。

Ixys 艾赛斯肖特基二极管模块凭借金属 - 半导体接触的独特结构，具备零反向恢复电荷的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结二极管。模块采用先进的沟槽结构与贵金属接触技术，在降低正向导通电阻的同时，提升了耐高温性能与电流承载能力，部分型号可在 175℃高温环境下稳定工作。其反向耐压覆盖 45V-1200V，电流等级可达 300A 以上，且封装紧凑，散热效率优异。在低压大电流场景如 DC-DC 转换器、光伏逆变器续流回路中，该模块能***降低系统功耗，是实现高效能源转换的理想选择。Ixys艾赛斯可控硅模块，具备出色的电压阻断能力，可承受高达数千伏的反向电压，保障电路安全。

Ixys 艾赛斯整流桥模块采用多元化封装技术适配不同应用场景，主流封装包括 DIP（双列直插）、SMD（表面贴装）、MODULE（模块型）与平板型（Press-Pack）。中小功率型号多采用 DIP/SMD 封装，体积小巧，适配小型电子设备；大功率型号则采用 MODULE 封装，内置直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，可快速导出芯片热量；高压大功率型号采用平板型封装，通过压力接触实现芯片与散热体的紧密连接，导热效率进一步提升。部分**型号集成温度传感器，可实时监测模块温度，配合外置散热系统实现智能温控。封装材料采用阻燃环氧树脂与无氧铜，通过 UL、IEC 认证，在 - 40℃至 150℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。Ixys艾赛斯MOS管具备出色的雪崩能量耐受能力，可抵御瞬时过压冲击，提升系统可靠性。IXYS艾赛斯VUB120-16IO1

Ixys艾赛斯MOS管紧凑的贴片封装设计，节省PCB板空间，适配小型化电子设备研发。IXYS艾赛斯VUB120-16IO1

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块中的 XPT（极轻穿透型）技术独具特色。该技术下的模块具备出色的短路耐受能力，能够在短路故障发生时，短时间内承受大电流冲击，例如部分模块可承受 10μs 的短路电流。同时，XPT 技术使得 IGBT 模块的栅极电荷非常低，这意味着在开关过程中，所需的驱动功率更小，能够快速响应驱动信号，实现快速的开关动作，有效降低了开关损耗。此外，XPT 技术结合薄晶圆工艺，还能实现较低的集电极 - 发射极饱和电压，进一步提升了模块在导通状态下的效率，为各类应用提供了更高效、可靠的电力控制解决方案。IXYS艾赛斯VUB120-16IO1