IXYS艾赛斯MWI150-06A8

尽管 Ixys 艾赛斯模块品类丰富，但均共享两大**技术支撑：先进芯片工艺与高精度封装设计。芯片层面，普遍采用薄晶圆外延技术、沟槽栅 / 平面栅优化结构，以及碳化硅（SiC）宽禁带材料，实现低导通损耗、高耐压与快开关特性的统一；封装层面，主流采用直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合多芯片并联均流设计与压力接触工艺，确保热量快速导出与电流均匀分布。此外，模块普遍集成温度传感器与过压保护结构，部分**型号融合智能驱动电路，形成 “芯片 - 封装 - 保护” 三位一体的技术体系。凭借强大的研发实力，艾赛斯在高压、大电流功率器件领域占据重要地位。IXYS艾赛斯MWI150-06A8

单相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯整流桥产品线的基础款，内部由 4 颗整流二极管组成桥式整流电路，可将单相交流电转换为脉动直流电。其采用对称的芯片布局设计，确保正负半周整流特性一致，导通压降低至 1.0V 以下，反向漏电流小于 10μA，具备优异的电气性能。电压等级涵盖 50V-1200V，电流从 10A 到 500A 不等，封装形式以紧凑型 DIP、MODULE 为主，部分型号集成散热器安装孔，适配小型化设备需求。在家用电器（如空调、洗衣机）的电源电路、小型 UPS、便携式设备充电器等场景中，单相整流桥模块简化了电路设计，提升了电源转换效率，为设备稳定运行提供基础直流电源。IXYS艾赛斯MWI150-06A8IXYS艾赛斯模块肖特基模块零反向恢复电荷，低压大电流场景损耗极低。

Ixys 艾赛斯可控硅模块拥有完善的产品矩阵，按类型可分为单向 SCR、双向 TRIAC、GTO、IGCT 等，电压等级从 400V 延伸至 6500V，电流范围 50A-4000A，封装涵盖平板型、MODULE 型、半桥、全桥等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务，如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀的模块，为新能源电站定制高集成度换流模块。公司配备专业的技术团队，提供从选型咨询、电路设计到调试运维的全流程支持，同时提供详尽的产品手册、应用笔记与仿真模型，帮助客户快速落地应用方案，降低研发风险。

集成门极换流晶闸管（IGCT）模块是 Ixys 艾赛斯在可控硅技术基础上的重大创新，将 GTO 芯片与集成门极驱动电路、续流二极管集成于一体。其通过优化的门极驱动设计，实现了低关断损耗与高关断速度，关断时间较传统 GTO 缩短 50% 以上，且无需复杂的外部缓冲电路，简化了系统结构。电压等级覆盖 4500V-6500V，电流可达 4000A，功率密度较 GTO 模块提升 30%。在轨道交通牵引变流器、大型工业电机驱动、船舶电力推进系统等大功率场景中，IGCT 模块凭借高可靠性、高效率与紧凑结构，成为替代 GTO 的推荐方案。凭借功率循环能力，Ixys艾赛斯可控硅模块可在长时间、高负荷工作下保持稳定性能。

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。Ixys艾赛斯整流桥采用集成化设计，能高效将交流电转为直流电，简化电源电路结构。IXYS艾赛斯MWI150-06A8

Ixys艾赛斯可控硅模块内部采用直接铜键合（DCB）氧化铝陶瓷基板，有效提高散热效率，延长使用寿命。IXYS艾赛斯MWI150-06A8

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块拥有极为丰富的产品系列，涵盖了***的电压和电流等级。电压方面，从标准的 0.6 - 1.2kV，到高电压的 1.2 - 1.7kV，甚至超高电压的 2.5 - 4kV，能够满足不同应用场景对耐压的需求。在电流等级上，集电极电流从 21A 到 200A 不等，脉冲集电极电流*高可达 1.5kA。这种多样化的电压与电流组合，无论是小型的电子设备，还是大型的工业装置，都能找到合适的 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块，为各种电力电子系统的设计提供了极大的灵活性，确保系统在不同工况下都能稳定、高效运行。IXYS艾赛斯MWI150-06A8