IXYS艾赛斯MDC552-12IO2

单相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯整流桥产品线的基础款，内部由 4 颗整流二极管组成桥式整流电路，可将单相交流电转换为脉动直流电。其采用对称的芯片布局设计，确保正负半周整流特性一致，导通压降低至 1.0V 以下，反向漏电流小于 10μA，具备优异的电气性能。电压等级涵盖 50V-1200V，电流从 10A 到 500A 不等，封装形式以紧凑型 DIP、MODULE 为主，部分型号集成散热器安装孔，适配小型化设备需求。在家用电器（如空调、洗衣机）的电源电路、小型 UPS、便携式设备充电器等场景中，单相整流桥模块简化了电路设计，提升了电源转换效率，为设备稳定运行提供基础直流电源。Ixys艾赛斯可控硅模块国际标准封装设计，便于安装与集成，可轻松适配各类电气设备，降低开发难度。IXYS艾赛斯MDC552-12IO2

高压 MOS 管是 Ixys 艾赛斯针对中高压电力系统开发的**产品，电压等级覆盖 1kV-10kV，电流范围 10A-500A，专为高压变频器、高压电源等场景设计。其采用先进的外延层堆叠技术与场板结构优化，通过增厚漂移区并精确控制掺杂浓度，实现超高击穿电压，同时降低导通电阻。部分型号集成反向恢复二极管，简化电路设计，且具备出色的 dv/dt 耐受能力，可抑制高压开关过程中的浪涌电压。封装采用强化绝缘的 MODULE 或 TO-247 形式，爬电距离符合国际高压标准，在高压直流输电（HVDC）、工业高频加热设备中，为系统提供稳定的高压开关控制。IXYS艾赛斯VUO190-18NO7Ixys艾赛斯整流桥在工业变频器里，它能精确实现交流电整流，为变频模块提供稳定直流电源。

焊接设备对电力的精确控制和高效转换有着严格要求，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在这方面表现出色。在焊接过程中，需要根据不同的焊接材料、焊接工艺和焊接要求，提供稳定、合适的焊接电流和电压。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块能够快速、精确地调节输出功率，确保焊接过程中电弧的稳定性。其高电流承载能力和低导通损耗，使得焊接设备在长时间工作时也能保持高效运行，提高了焊接质量和生产效率。同时，模块的可靠性保证了焊接设备在复杂工业环境下的稳定运行，减少了设备故障和维护成本，为焊接行业的发展提供了有力支持。

大中型电机直接启动时会产生数倍于额定电流的冲击电流，易损坏电机绕组与机械传动部件，Ixys 艾赛斯可控硅模块在电机软启动器中发挥着关键作用。软启动器中，可控硅模块串联在电机电源回路，启动时通过逐渐增大导通角，使输入电机的电压从低到高平滑上升，电流冲击被限制在额定电流的 1.5-2.5 倍以内，实现电机平稳启动。此外，模块还具备过载保护功能，当电机电流超过设定值时，快速减小导通角切断电源，保护电机免受损坏。在水泵、风机、压缩机等电机驱动场景中，该模块延长了设备使用寿命，降低了电网冲击。Ixys艾赛斯可控硅模块广泛应用于电机控制领域，可实现电机的平滑启动与调速。

尽管 Ixys 艾赛斯模块品类丰富，但均共享两大**技术支撑：先进芯片工艺与高精度封装设计。芯片层面，普遍采用薄晶圆外延技术、沟槽栅 / 平面栅优化结构，以及碳化硅（SiC）宽禁带材料，实现低导通损耗、高耐压与快开关特性的统一；封装层面，主流采用直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合多芯片并联均流设计与压力接触工艺，确保热量快速导出与电流均匀分布。此外，模块普遍集成温度传感器与过压保护结构，部分**型号融合智能驱动电路，形成 “芯片 - 封装 - 保护” 三位一体的技术体系。IXYS艾赛斯模块雪崩模块精确雪崩击穿，为电路提供纳秒级过压防护。IXYS艾赛斯VUO190-18NO7

艾赛斯注重技术创新，持续推出低损耗、高可靠性的功率半导体新品。IXYS艾赛斯MDC552-12IO2

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。IXYS艾赛斯MDC552-12IO2