IXYS艾赛斯MCMA65PD1600TB

低压大电流 MOS 管是 Ixys 艾赛斯面向低压电力场景的特色产品，电压等级 100V-600V，电流可达 1000A，**优势在于**导通电阻（可低至 1mΩ 以下）与高电流密度。其采用沟槽栅（Trench）与超级结（Super Junction）复合工艺，通过优化沟道结构增加导电面积，配合薄晶圆技术降低导通损耗。封装采用多芯片并联的 MODULE 形式或大电流 TO-220 封装，内置均流电阻确保电流分布均匀，散热效率优异。在新能源汽车低压电源、锂电池充放电管理、大功率 DC-DC 转换器等场景中，该类 MOS 管能***降低功率损耗，提升系统效率，适配大电流快充与低压驱动需求。IXYS艾赛斯模块可定制耐盐雾、耐高温款，适配特殊环境需求。IXYS艾赛斯MCMA65PD1600TB

高压 MOS 管是 Ixys 艾赛斯针对中高压电力系统开发的**产品，电压等级覆盖 1kV-10kV，电流范围 10A-500A，专为高压变频器、高压电源等场景设计。其采用先进的外延层堆叠技术与场板结构优化，通过增厚漂移区并精确控制掺杂浓度，实现超高击穿电压，同时降低导通电阻。部分型号集成反向恢复二极管，简化电路设计，且具备出色的 dv/dt 耐受能力，可抑制高压开关过程中的浪涌电压。封装采用强化绝缘的 MODULE 或 TO-247 形式，爬电距离符合国际高压标准，在高压直流输电（HVDC）、工业高频加热设备中，为系统提供稳定的高压开关控制。IXYS艾赛斯MCMA65PD1600TBIxys艾赛斯场效应管开关速度超快，纳秒级响应特性，适配高频电力转换场景。

Ixys 艾赛斯雪崩二极管模块专为电路过压保护设计，利用二极管的雪崩击穿效应，在电路出现瞬时过压时快速导通，将过压能量泄放至地，保护后端器件免受损坏。模块采用强化的硅芯片结构与精确的掺杂工艺，实现了可控的雪崩击穿电压与稳定的击穿特性，击穿电压精度可控制在 ±5% 以内。其峰值脉冲功率耐受能力从数百瓦到数十千瓦不等，响应时间短至纳秒级，且具备重复雪崩工作能力。在电力电子系统的浪涌防护、IGBT 过压箝位等场景中，该模块能提供可靠的安全保障，降低系统因过压故障导致的停机风险。

在空调系统中，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块为实现节能运行提供了有效解决方案。传统空调在运行过程中，压缩机频繁启停会消耗大量电能，且会对压缩机造成机械损伤，影响其使用寿命。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块通过精确控制压缩机的转速，使其能够根据室内温度的变化实时调整制冷或制热功率。当室内温度接近设定温度时，模块降低压缩机转速，减少能耗；而当温度偏差较大时，提高转速以快速调节室温。这种智能的控制方式不仅使空调运行更加平稳，降低了噪音，还大幅降低了能耗，实现了节能与舒适的双重目标，符合当前绿色环保、节能减排的发展趋势。Ixys艾赛斯可控硅模块支持高频率工作，适用于对频率响应要求高的电力转换系统。

新能源汽车三电系统（电池、电机、电控）高度依赖 Ixys 艾赛斯模块的性能支撑。电机控制器中，SiC MOS 管模块将动力电池直流电逆变为交流电，其低损耗特性使续航里程提升 10% 以上；车载充电机（OBC）采用超级结 MOS 管模块，实现 97% 以上的充电效率，适配快充需求；电池管理系统（BMS）则使用低压 MOS 管模块，实现电芯均衡与过流保护。这些模块均采用耐高温（175℃以上）、抗振动封装，通过 AEC-Q100 汽车级认证，在比亚迪、特斯拉等**车型中已实现规模化应用。Ixys艾赛斯整流桥具备高正向电流承载能力，单桥可耐受数十至数百安培电流，适配大功率场景。IXYS艾赛斯MCMA65PD1600TB

Ixys艾赛斯场效应管采用先进沟槽工艺，导通电阻极低，能明显降低电路功率损耗。IXYS艾赛斯MCMA65PD1600TB

大中型电机直接启动时会产生数倍于额定电流的冲击电流，易损坏电机绕组与机械传动部件，Ixys 艾赛斯可控硅模块在电机软启动器中发挥着关键作用。软启动器中，可控硅模块串联在电机电源回路，启动时通过逐渐增大导通角，使输入电机的电压从低到高平滑上升，电流冲击被限制在额定电流的 1.5-2.5 倍以内，实现电机平稳启动。此外，模块还具备过载保护功能，当电机电流超过设定值时，快速减小导通角切断电源，保护电机免受损坏。在水泵、风机、压缩机等电机驱动场景中，该模块延长了设备使用寿命，降低了电网冲击。IXYS艾赛斯MCMA65PD1600TB