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IXYS艾赛斯基本参数
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IXYS艾赛斯企业商机

IXYN80N90C3H1 是 Ixys 艾赛斯一款专为高频应用设计的 IGBT 模块。它在 20 - 50kHz 的开关频率下表现***,特别适用于高频电源逆变器、开关电源模块等领域。该模块集成了反并联肖特基二极管,极大地提升了其在高频环境下的性能。在高频工作时,其低开关损耗特性明显,能够有效减少能量损耗,提高系统效率。同时,它具备强大的电流处理能力,*大持续电流可达 115A,确保在高负载情况下也能稳定运行。其方形的反向偏置安全工作区域,进一步保障了在复杂电路条件下操作的可靠性,为高频电力转换应用提供了优*的解决方案。Ixys艾赛斯整流桥在工业变频器里,它能精确实现交流电整流,为变频模块提供稳定直流电源。IXYS艾赛斯VHF36-16IO5

IXYS艾赛斯

高压整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对高电压应用开发的**产品,通过强化的芯片结构与封装工艺,实现了超高反向耐压特性,电压等级覆盖 3000V-6500V,电流范围从 50A 到 2000A。模块内部采用串联芯片堆叠技术,配合精确的电压均衡设计,确保各芯片承受的电压均匀分配,避免局部过压击穿。封装采用平板型(Press-Pack)或高压 MODULE 形式,绝缘性能优异,爬电距离符合国际高压标准,且具备良好的散热性能。在高压直流输电(HVDC)换流站、高压电机励磁电源、工业高频加热设备等高压场景中,高压整流桥模块作为**整流器件,实现了高电压交流电向直流电的稳定转换,保障了高压系统的可靠运行。IXYS艾赛斯VHF36-16IO5Ixys艾赛斯MOS管采用TO-247等主流封装,散热性能优异,便于在大功率设备中集成。

IXYS艾赛斯VHF36-16IO5,IXYS艾赛斯

新能源汽车三电系统(电池、电机、电控)高度依赖 Ixys 艾赛斯模块的性能支撑。电机控制器中,SiC MOS 管模块将动力电池直流电逆变为交流电,其低损耗特性使续航里程提升 10% 以上;车载充电机(OBC)采用超级结 MOS 管模块,实现 97% 以上的充电效率,适配快充需求;电池管理系统(BMS)则使用低压 MOS 管模块,实现电芯均衡与过流保护。这些模块均采用耐高温(175℃以上)、抗振动封装,通过 AEC-Q100 汽车级认证,在比亚迪、特斯拉等**车型中已实现规模化应用。

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品,相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极,可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计,确保正负半周的导通特性一致,触发方式灵活,既可用交流信号触发,也可用直流信号触发,导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V,电流从 20A 到 500A,封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中,双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制,简化了系统设计。IXYS艾赛斯模块电压覆盖45V-6500V,电流可达2000A,适配全功率段。

IXYS艾赛斯VHF36-16IO5,IXYS艾赛斯

焊接设备对电力的精确控制和高效转换有着严格要求,Ixys 艾赛斯 IGBT 模块在这方面表现出色。在焊接过程中,需要根据不同的焊接材料、焊接工艺和焊接要求,提供稳定、合适的焊接电流和电压。Ixys 艾赛斯 IGBT 模块能够快速、精确地调节输出功率,确保焊接过程中电弧的稳定性。其高电流承载能力和低导通损耗,使得焊接设备在长时间工作时也能保持高效运行,提高了焊接质量和生产效率。同时,模块的可靠性保证了焊接设备在复杂工业环境下的稳定运行,减少了设备故障和维护成本,为焊接行业的发展提供了有力支持。Ixys艾赛斯IGBT模块融合MOSFET与BJT优势,开关速度快且导通损耗低,适配高频电力变换。IXYS艾赛斯VHF36-16IO5

Ixys艾赛斯场效应管光伏逆变器中,可提升电能转换效率,*大化利用太阳能资源。IXYS艾赛斯VHF36-16IO5

Ixys 艾赛斯模块封装技术经历了 “标准化 - 场景化 - 定制化” 的演进路径。早期以 TO 系列、MODULE 标准封装为主,满足通用场景需求;随后针对特定场景开发**封装,如为消费电子设计 SOP/QFN 小型化封装,为工业设备开发 SOT227B 紧凑型封装;如今则提供全维度定制服务,可根据客户需求调整引脚布局、散热方式、集成功能,甚至开发全新封装结构。例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀封装,为航空航天设备设计轻量化陶瓷金属封装,封装材料均通过 UL、IEC 认证,工作温度范围覆盖 - 55℃至 225℃。IXYS艾赛斯VHF36-16IO5

IXYS艾赛斯产品展示
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