IXYS艾赛斯VUB120-16NOX

Ixys 艾赛斯肖特基二极管模块凭借金属 - 半导体接触的独特结构，具备零反向恢复电荷的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结二极管。模块采用先进的沟槽结构与贵金属接触技术，在降低正向导通电阻的同时，提升了耐高温性能与电流承载能力，部分型号可在 175℃高温环境下稳定工作。其反向耐压覆盖 45V-1200V，电流等级可达 300A 以上，且封装紧凑，散热效率优异。在低压大电流场景如 DC-DC 转换器、光伏逆变器续流回路中，该模块能***降低系统功耗，是实现高效能源转换的理想选择。IXYS艾赛斯模块UPS系统中防反接，保障断电切换时电力连续。IXYS艾赛斯VUB120-16NOX

Ixys 艾赛斯构建了业内**完善的功率半导体模块矩阵，按**器件类型可划分为五大类：IGBT 模块聚焦高频大功率转换，适配电机驱动与新能源逆变场景；二极管模块以快恢复、肖特基特性为**，满足续流与整流需求；可控硅模块主打高压大电流控制，服务于电力系统与工业调速；整流桥模块集成桥式拓扑，简化交直流转换电路；MOS 管模块则以高频低损耗优势，适配电源与驱动场景。这种全品类布局并非简单堆砌，而是基于 “场景 - 性能” 精确匹配逻辑，例如为光伏逆变器配套 IGBT + 快恢复二极管复合模块，为电动汽车定制 SiC MOS 管集成模块，形成覆盖全功率等级、全应用场景的产品生态。IXYS艾赛斯VUB120-16NOXIxys二极管模块含FRD、肖特基等类型，适配多场景整流续流需求。

单相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯整流桥产品线的基础款，内部由 4 颗整流二极管组成桥式整流电路，可将单相交流电转换为脉动直流电。其采用对称的芯片布局设计，确保正负半周整流特性一致，导通压降低至 1.0V 以下，反向漏电流小于 10μA，具备优异的电气性能。电压等级涵盖 50V-1200V，电流从 10A 到 500A 不等，封装形式以紧凑型 DIP、MODULE 为主，部分型号集成散热器安装孔，适配小型化设备需求。在家用电器（如空调、洗衣机）的电源电路、小型 UPS、便携式设备充电器等场景中，单相整流桥模块简化了电路设计，提升了电源转换效率，为设备稳定运行提供基础直流电源。

快恢复二极管（FRD）模块是 Ixys 艾赛斯的**产品系列之一，以极短的反向恢复时间为***优势。其反向恢复时间可低至几十纳秒，能快速响应电路中的电流方向变化，有效抑制开关过程中产生的浪涌电压与电磁干扰。该模块采用先进的外延工艺与薄晶圆技术，在实现快速恢复特性的同时，兼顾了低正向导通电压与高反向击穿电压，电压等级覆盖 600V-6500V，电流范围从几十安到数百安。无论是高频逆变器还是开关电源，FRD 模块都能通过减少开关损耗，***提升系统效率，尤其适配对响应速度要求严苛的高频应用场景。Ixys艾赛斯整流桥具备高正向电流承载能力，单桥可耐受数十至数百安培电流，适配大功率场景。

Ixys 艾赛斯雪崩二极管模块专为电路过压保护设计，利用二极管的雪崩击穿效应，在电路出现瞬时过压时快速导通，将过压能量泄放至地，保护后端器件免受损坏。模块采用强化的硅芯片结构与精确的掺杂工艺，实现了可控的雪崩击穿电压与稳定的击穿特性，击穿电压精度可控制在 ±5% 以内。其峰值脉冲功率耐受能力从数百瓦到数十千瓦不等，响应时间短至纳秒级，且具备重复雪崩工作能力。在电力电子系统的浪涌防护、IGBT 过压箝位等场景中，该模块能提供可靠的安全保障，降低系统因过压故障导致的停机风险。在工业加热设备里，Ixys艾赛斯可控硅模块能精确调节温度，为生产过程提供稳定的热量输出。IXYS艾赛斯VUB120-16NOX

Ixys艾赛斯IGBT封装集成高效散热基板，结温耐受度高，可在-40℃至175℃环境稳定工作。IXYS艾赛斯VUB120-16NOX

Ixys 艾赛斯 MOS 管主要分为 N 沟道与 P 沟道两大基础类型，二者基于载流子类型差异呈现互补特性。N 沟道 MOS 管以电子为主要载流子，导通电阻更低、开关速度更快，电压等级覆盖 100V-10kV，电流可达 1000A，是大功率、高频场景的主流选择，广泛应用于工业逆变器、新能源汽车驱动等领域；P 沟道 MOS 管以空穴为载流子，虽导通电阻略高，但在低压小功率场景中无需负压驱动，电路设计更简洁，电压覆盖 100V-600V，电流至 50A，适配便携式设备电源、低压 DC-DC 转换器等场景。Ixys 通过精确的掺杂工艺与沟道优化，确保两类器件在各自领域实现性能*大化。IXYS艾赛斯VUB120-16NOX