IXYS艾赛斯MCD26-12iO1B

电力系统的安全稳定运行离不开 Ixys 艾赛斯模块的精确控制。在高压直流输电（HVDC）换流站，可控硅模块组成换流桥，实现交直流电能转换，其 6500V 耐压与 3000A 电流特性适配大功率输电需求；静止无功补偿器（SVC）中，可控硅模块快速投切电抗器与电容器，动态调节电网无功功率，维持电压稳定；配电系统的智能断路器则采用小型化 IGBT 模块，实现故障电流快速分断。这些模块具备高可靠性与长寿命特性，平均无故障时间（MTBF）超 10 万小时，为电网安全提供底层保障。Ixys艾赛斯整流桥在工业变频器里，它能精确实现交流电整流，为变频模块提供稳定直流电源。IXYS艾赛斯MCD26-12iO1B

双向可控硅模块是 Ixys 艾赛斯针对交流控制场景开发的特色产品，相当于两个反向并联的单向可控硅共享一个栅极，可在交流电压的正负半周均实现导通控制。其采用对称的芯片结构设计，确保正负半周的导通特性一致，触发方式灵活，既可用交流信号触发，也可用直流信号触发，导通角调节范围宽达 0-180°。电压等级覆盖 400V-1200V，电流从 20A 到 500A，封装紧凑且具备良好的散热性能。在交流电机调速、电炉温度控制、家用 appliances 功率调节等场景中，双向可控硅模块无需复杂的换向电路即可实现交流电能的精确控制，简化了系统设计。IXYS艾赛斯MCD26-12iO1BIxys艾赛斯IGBT采用先进trench-gate工艺，栅极电荷少，驱动简单，能降低控制系统复杂度。

门极可关断可控硅（GTO）模块是 Ixys 艾赛斯面向高性能电力控制场景的**产品，突破了传统可控硅*能通过电流或电压自然关断的限制，可通过在栅极施加反向触发信号实现主动关断。其采用特殊的掺杂工艺与多层结构设计，关断时间短至数微秒，电流关断增益可达 5-10，且具备高耐压、大电流特性，电压等级*高达 6500V，电流可达 3000A。在高压直流输电（HVDC）、无功功率补偿（SVC）、大功率逆变器等场景中，GTO 模块的主动关断能力使电力系统的控制更灵活、响应更迅速，***提升了系统的动态性能与运行稳定性。

高压整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对高电压应用开发的**产品，通过强化的芯片结构与封装工艺，实现了超高反向耐压特性，电压等级覆盖 3000V-6500V，电流范围从 50A 到 2000A。模块内部采用串联芯片堆叠技术，配合精确的电压均衡设计，确保各芯片承受的电压均匀分配，避免局部过压击穿。封装采用平板型（Press-Pack）或高压 MODULE 形式，绝缘性能优异，爬电距离符合国际高压标准，且具备良好的散热性能。在高压直流输电（HVDC）换流站、高压电机励磁电源、工业高频加热设备等高压场景中，高压整流桥模块作为**整流器件，实现了高电压交流电向直流电的稳定转换，保障了高压系统的可靠运行。艾赛斯深耕功率半导体领域，致力于推动能源高效利用与绿色发展。

Ixys 艾赛斯 MOS 管主要分为 N 沟道与 P 沟道两大基础类型，二者基于载流子类型差异呈现互补特性。N 沟道 MOS 管以电子为主要载流子，导通电阻更低、开关速度更快，电压等级覆盖 100V-10kV，电流可达 1000A，是大功率、高频场景的主流选择，广泛应用于工业逆变器、新能源汽车驱动等领域；P 沟道 MOS 管以空穴为载流子，虽导通电阻略高，但在低压小功率场景中无需负压驱动，电路设计更简洁，电压覆盖 100V-600V，电流至 50A，适配便携式设备电源、低压 DC-DC 转换器等场景。Ixys 通过精确的掺杂工艺与沟道优化，确保两类器件在各自领域实现性能*大化。工业电源设备里，Ixys艾赛斯场效应管其精确的电流控制能力，助力电源实现高稳定性输出。IXYS艾赛斯MCD26-12iO1B

Ixys艾赛斯可控硅模块紧凑的设计使得模块体积小巧，在节省空间的同时，不影响其强大的功能发挥。IXYS艾赛斯MCD26-12iO1B

在工业变频器中，Ixys 艾赛斯二极管模块承担着整流与续流双重**角色。整流模块将电网交流电转换为直流电，为逆变器提供稳定的直流母线电压，其高浪涌耐受能力能应对电机启动时的电流冲击；续流二极管模块则与 IGBT 串联，在 IGBT 关断时为电机绕组的感性电流提供泄放回路，避免过压损坏 IGBT。模块的低正向压降特性降低了整流损耗，快恢复特性则减少了续流过程中的开关损耗，配合优异的散热设计，能适应变频器长期高负载运行的需求。无论是风机、水泵等通用变频场景，还是机床主轴等高精度变频控制，该模块都能提升变频器的效率与可靠性。IXYS艾赛斯MCD26-12iO1B