IXYS艾赛斯IXTN60N50L2

Ixys 艾赛斯可控硅模块拥有完善的产品矩阵，按类型可分为单向 SCR、双向 TRIAC、GTO、IGCT 等，电压等级从 400V 延伸至 6500V，电流范围 50A-4000A，封装涵盖平板型、MODULE 型、半桥、全桥等多种规格。针对特殊场景，提供定制化服务，如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀的模块，为新能源电站定制高集成度换流模块。公司配备专业的技术团队，提供从选型咨询、电路设计到调试运维的全流程支持，同时提供详尽的产品手册、应用笔记与仿真模型，帮助客户快速落地应用方案，降低研发风险。Ixys艾赛斯场效应管栅极驱动功耗低，搭配简易驱动电路即可稳定运行，降低设计成本。IXYS艾赛斯IXTN60N50L2

Ixys 艾赛斯作为功率半导体领域的**企业，其二极管模块延续了品牌在高效能、高可靠性上的技术基因，专为中高功率电力电子系统设计。不同于分立二极管，模块通过集成化封装将多颗二极管芯片组合，实现了更高的功率密度与更优的散热性能。**价值体现在对电能转换过程的精确调控 —— 无论是整流、续流还是箝位保护，都能凭借低正向压降、高反向耐压的特性降低能量损耗。从工业驱动到新能源发电，Ixys 二极管模块为各类系统提供了稳定的电流导向解决方案，是保障电力电子设备高效运行的关键器件。IXYS艾赛斯DSS2X101-015AIXYS艾赛斯模块肖特基模块零反向恢复电荷，低压大电流场景损耗极低。

Ixys 艾赛斯模块为新能源发电提供从发电端到并网端的全链条解决方案。光伏领域，组串式逆变器采用超级结 MOS 管模块与快恢复二极管模块，实现 98.5% 以上的转换效率；集中式逆变器则配套 6500V IGBT 模块，适配高电压输入场景。风电领域，变桨系统使用 IGBT 模块控制叶片角度，变流器采用可控硅 + 整流桥复合模块，实现风能向电能的高效转换。此外，储能系统中广泛应用肖特基二极管模块与 MOS 管模块，保障充放电过程的低损耗与高可靠性，为 “风光储” 一体化提供**器件支撑。

Ixys 艾赛斯 IGBT 模块中的 XPT（极轻穿透型）技术独具特色。该技术下的模块具备出色的短路耐受能力，能够在短路故障发生时，短时间内承受大电流冲击，例如部分模块可承受 10μs 的短路电流。同时，XPT 技术使得 IGBT 模块的栅极电荷非常低，这意味着在开关过程中，所需的驱动功率更小，能够快速响应驱动信号，实现快速的开关动作，有效降低了开关损耗。此外，XPT 技术结合薄晶圆工艺，还能实现较低的集电极 - 发射极饱和电压，进一步提升了模块在导通状态下的效率，为各类应用提供了更高效、可靠的电力控制解决方案。Ixys艾赛斯可控硅模块支持高频率工作，适用于对频率响应要求高的电力转换系统。

Ixys 艾赛斯构建了业内**完善的功率半导体模块矩阵，按**器件类型可划分为五大类：IGBT 模块聚焦高频大功率转换，适配电机驱动与新能源逆变场景；二极管模块以快恢复、肖特基特性为**，满足续流与整流需求；可控硅模块主打高压大电流控制，服务于电力系统与工业调速；整流桥模块集成桥式拓扑，简化交直流转换电路；MOS 管模块则以高频低损耗优势，适配电源与驱动场景。这种全品类布局并非简单堆砌，而是基于 “场景 - 性能” 精确匹配逻辑，例如为光伏逆变器配套 IGBT + 快恢复二极管复合模块，为电动汽车定制 SiC MOS 管集成模块，形成覆盖全功率等级、全应用场景的产品生态。IXYS艾赛斯模块医疗设备款，低噪声保障MRI成像精度。IXYS艾赛斯DSS2X101-015A

凭借功率循环能力，Ixys艾赛斯可控硅模块可在长时间、高负荷工作下保持稳定性能。IXYS艾赛斯IXTN60N50L2

Ixys 成立于 1983 年，**初主要向高速列车提供高功率 IGBT，是美国**早从事 IGBT 产品的半导体企业。自成立以来，Ixys 始终致力于提高效率、降低能耗的功率半导体产品的研发和生产。多年来，通过不断的技术创新与积累，其 IGBT 模块在性能上取得了巨大突破。从**初简单满足基本电力转换需求，到如今能在复杂、高要求的应用场景中稳定运行，Ixys 艾赛斯 IGBT 模块见证了电力电子技术的飞速发展，也凭借自身优势在市场中占据了重要地位，为众多行业的电力驱动与控制提供了可靠保障。IXYS艾赛斯IXTN60N50L2