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IXYS艾赛斯基本参数
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IXYS艾赛斯企业商机

电力系统中无功功率失衡会导致电压波动、功率因数降低,影响电网稳定性与供电质量,Ixys 艾赛斯可控硅模块在静止无功补偿器(SVC)中实现动态无功调节。SVC 通过可控硅模块控制电抗器与电容器的投切,当电网无功不足时,投入电容器提供容性无功;当无功过剩时,投入电抗器吸收感性无功。模块的快速触发与关断特性(响应时间<10ms)确保了无功补偿的实时性,可跟随电网负荷变化动态调整无功输出,使功率因数维持在 0.95 以上。在钢铁厂、变电站、新能源电站等场景,该模块提升了电网稳定性,降低了输电损耗与电费成本。艾赛斯始终以客户为中心,提供从产品到技术支持的全链条服务。IXYS艾赛斯MWI60-12T6K

IXYS艾赛斯

快恢复二极管(FRD)模块是 Ixys 艾赛斯的**产品系列之一,以极短的反向恢复时间为***优势。其反向恢复时间可低至几十纳秒,能快速响应电路中的电流方向变化,有效抑制开关过程中产生的浪涌电压与电磁干扰。该模块采用先进的外延工艺与薄晶圆技术,在实现快速恢复特性的同时,兼顾了低正向导通电压与高反向击穿电压,电压等级覆盖 600V-6500V,电流范围从几十安到数百安。无论是高频逆变器还是开关电源,FRD 模块都能通过减少开关损耗,***提升系统效率,尤其适配对响应速度要求严苛的高频应用场景。IXYS艾赛斯MWI60-12T6KIXYS艾赛斯模块快恢复模块反向恢复只要数十纳秒,有效抑制高频工况浪涌干扰。

IXYS艾赛斯MWI60-12T6K,IXYS艾赛斯

不间断电源(UPS)中,Ixys 艾赛斯二极管模块是保障电力连续性的关键器件。在市电正常时,整流二极管模块将交流电转换为直流电,为蓄电池充电并为逆变器供电,其高可靠性确保充电过程稳定高效;当市电中断时,二极管模块快速切换至备用回路,阻断蓄电池向整流侧反向放电,同时配合逆变器将蓄电池电能转换为交流电供负载使用。模块的低正向压降降低了回路损耗,高浪涌耐受能力能应对负载突变时的电流冲击,且封装紧凑,适配 UPS 小型化设计需求。在数据中心、通信基站等关键场景,该模块为 UPS 系统提供可靠的电力转换与切换支撑,避免断电导致的数据丢失。

轨道交通牵引系统对功率半导体器件的功率等级与耐环境性能要求极高,Ixys 艾赛斯二极管模块凭借高功率密度与强环境适应性成为*选。在牵引变流器中,整流二极管模块将接触网的交流电转换为直流电,其反向耐压可达 6500V,电流等级超过 1000A,能满足牵引电机的大功率需求;续流二极管模块与 IGBT 配合,实现牵引电机的四象限运行,其快恢复特性减少了开关损耗,提升了变流器效率。模块采用强化的机械结构与密封设计,能耐受轨道交通场景中的振动、冲击与粉尘侵蚀,且具备宽温度工作范围,确保列车在不同气候条件下稳定运行。Ixys艾赛斯可控硅模块紧凑的设计使得模块体积小巧,在节省空间的同时,不影响其强大的功能发挥。

IXYS艾赛斯MWI60-12T6K,IXYS艾赛斯

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品,内部集成快恢复二极管(FRD)芯片,反向恢复时间短至几十纳秒,能快速响应高频交流电的极性变化,有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺,在实现快速恢复特性的同时,兼顾低正向导通电压与高反向耐压,电压等级覆盖 200V-3000V,电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合(DCB)载板,散热效率优异,可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源(UPS)等高频应用场景中,快恢复整流桥模块***降低了开关损耗,提升了系统整体效率。Ixys艾赛斯可控硅模块的低触发电流特性,使得控制更加灵敏,能减少能源损耗,提高系统效率。IXYS艾赛斯MWI60-12T6K

Ixys艾赛斯整流桥采用玻璃钝化芯片,反向漏电流极小,提升整流电路的稳定性与效率。IXYS艾赛斯MWI60-12T6K

Ixys 艾赛斯碳化硅(SiC)MOS 管基于宽禁带半导体材料开发,彻底突破硅基器件的性能极限,具备耐高温(*高 225℃)、耐高压(可达 15kV)、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%,开关速度提升 3 倍,且无反向恢复损耗,能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术,解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题,封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中,SiC MOS 管可使系统效率突破 99%,体积缩小 40%,是未来高效电力电子系统的**方向。IXYS艾赛斯MWI60-12T6K

IXYS艾赛斯产品展示
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