IXYS艾赛斯MDD162-08N1

MOS 管（金属 - 氧化物半导体场效应晶体管）是电压控制型功率半导体器件，**通过栅极电压形成导电沟道实现电流通断控制，具有开关速度快、驱动功率小、高频特性优异等优势。Ixys 艾赛斯作为功率半导体**企业，其 MOS 管以高可靠性、低损耗、宽电压覆盖为核心竞争力，通过先进的芯片设计与封装工艺，解决了传统 MOS 管在大功率场景下的散热瓶颈与电流不均问题。产品电压等级覆盖 100V-10kV，电流范围从 1A 至 1000A，涵盖单管、模块等多种形态，适配从消费电子到工业高压的全场景电力控制需求，在电源转换、电机驱动、新能源等领域扮演着 “电力开关**” 的角色。Ixys艾赛斯产品覆盖IGBT、场效应管、整流桥等，为不同功率场景提供适配方案。IXYS艾赛斯MDD162-08N1

单相整流桥模块是 Ixys 艾赛斯整流桥产品线的基础款，内部由 4 颗整流二极管组成桥式整流电路，可将单相交流电转换为脉动直流电。其采用对称的芯片布局设计，确保正负半周整流特性一致，导通压降低至 1.0V 以下，反向漏电流小于 10μA，具备优异的电气性能。电压等级涵盖 50V-1200V，电流从 10A 到 500A 不等，封装形式以紧凑型 DIP、MODULE 为主，部分型号集成散热器安装孔，适配小型化设备需求。在家用电器（如空调、洗衣机）的电源电路、小型 UPS、便携式设备充电器等场景中，单相整流桥模块简化了电路设计，提升了电源转换效率，为设备稳定运行提供基础直流电源。IXYS艾赛斯MDD162-08N1Ixys艾赛斯场效应管通过AEC-Q101汽车级认证，满足车载环境的严苛可靠性与温度要求。

可控硅（SCR）作为典型的半控型功率半导体器件，Ixys 艾赛斯将其模块化封装后，成为中高功率电力控制领域的**组件。该模块以 PNPN 四层结构为基础，通过栅极触发信号实现导通控制，导通后即使撤去触发信号仍能维持导通状态，*当电流降至维持电流以下或施加反向电压时才截止。相较于分立可控硅，Ixys 模块通过多芯片集成与优化封装，实现了更高的功率密度、更均衡的电流分布及更优的散热性能，电压等级覆盖 400V-6500V，电流范围从 50A 至 3000A，专为工业调速、电力整流、电机控制等大功率场景设计，是实现电能精确调控的关键器件。

低压大电流 MOS 管是 Ixys 艾赛斯面向低压电力场景的特色产品，电压等级 100V-600V，电流可达 1000A，**优势在于**导通电阻（可低至 1mΩ 以下）与高电流密度。其采用沟槽栅（Trench）与超级结（Super Junction）复合工艺，通过优化沟道结构增加导电面积，配合薄晶圆技术降低导通损耗。封装采用多芯片并联的 MODULE 形式或大电流 TO-220 封装，内置均流电阻确保电流分布均匀，散热效率优异。在新能源汽车低压电源、锂电池充放电管理、大功率 DC-DC 转换器等场景中，该类 MOS 管能***降低功率损耗，提升系统效率，适配大电流快充与低压驱动需求。艾赛斯注重技术创新，持续推出低损耗、高可靠性的功率半导体新品。

Ixys 艾赛斯可控硅模块采用先进的封装技术保障性能发挥，主流封装包括平板型（Press-Pack）与模块型（Module）。平板型封装通过压力接触实现芯片与散热片的紧密连接，导热效率高，且具备优异的抗振动性能，适配大功率场景；模块型封装则采用直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合优化的内部布局，快速导出芯片热量。部分*端型号集成温度传感器与电流检测元件，便于实时监控模块状态。封装材料采用阻燃环氧树脂与无氧铜，通过 UL 与 IEC 认证，在 - 40℃至 125℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。凭借功率循环能力，Ixys艾赛斯可控硅模块可在长时间、高负荷工作下保持稳定性能。IXYS艾赛斯MDD162-08N1

Ixys艾赛斯整流桥封装内置高效散热结构，结温耐受度高，可在高温工业环境长期稳定工作。IXYS艾赛斯MDD162-08N1

Ixys 艾赛斯碳化硅（SiC）MOS 管基于宽禁带半导体材料开发，彻底突破硅基器件的性能极限，具备耐高温（*高 225℃）、耐高压（可达 15kV）、低损耗的**优势。其导通电阻较同规格硅基 MOS 管降低 70%，开关速度提升 3 倍，且无反向恢复损耗，能适应极端高温与高频工况。采用专属的 SiC 芯片工艺与封装技术，解决了宽禁带材料的接触电阻与散热难题，封装形式涵盖 TO-247、MODULE 等。在新能源汽车主逆变器、光伏逆变器、航空航天电源等**场景中，SiC MOS 管可使系统效率突破 99%，体积缩小 40%，是未来高效电力电子系统的**方向。IXYS艾赛斯MDD162-08N1