IXYS艾赛斯IXFN26N120P

快恢复二极管（FRD）模块是 Ixys 艾赛斯的**产品系列之一，以极短的反向恢复时间为***优势。其反向恢复时间可低至几十纳秒，能快速响应电路中的电流方向变化，有效抑制开关过程中产生的浪涌电压与电磁干扰。该模块采用先进的外延工艺与薄晶圆技术，在实现快速恢复特性的同时，兼顾了低正向导通电压与高反向击穿电压，电压等级覆盖 600V-6500V，电流范围从几十安到数百安。无论是高频逆变器还是开关电源，FRD 模块都能通过减少开关损耗，***提升系统效率，尤其适配对响应速度要求严苛的高频应用场景。Ixys艾赛斯IGBT模块融合MOSFET与BJT优势，开关速度快且导通损耗低，适配高频电力变换。IXYS艾赛斯IXFN26N120P

在电动汽车电源系统中，Ixys 艾赛斯二极管模块广泛应用于车载充电机（OBC）、DC-DC 转换器及电机控制器。充电机中的整流二极管模块将电网交流电转换为直流电为电池充电，其高电流密度特性适配快充场景；DC-DC 转换器中的肖特基二极管模块实现高低压直流转换，为车载电子设备供电，零反向恢复损耗特性提升了转换效率；电机控制器中的续流二极管模块则配合 IGBT 工作，保障电机转速调节的平稳性。模块采用耐高温封装与强化绝缘设计，能适应车载环境的振动、冲击与温度波动，为电动汽车的安全高效运行提供**支撑。IXYS艾赛斯IXFN26N120PIxys艾赛斯可控硅模块的导通速度极快，能在微秒级时间内响应控制信号，实现精确电力控制。

高压 MOS 管是 Ixys 艾赛斯针对中高压电力系统开发的**产品，电压等级覆盖 1kV-10kV，电流范围 10A-500A，专为高压变频器、高压电源等场景设计。其采用先进的外延层堆叠技术与场板结构优化，通过增厚漂移区并精确控制掺杂浓度，实现超高击穿电压，同时降低导通电阻。部分型号集成反向恢复二极管，简化电路设计，且具备出色的 dv/dt 耐受能力，可抑制高压开关过程中的浪涌电压。封装采用强化绝缘的 MODULE 或 TO-247 形式，爬电距离符合国际高压标准，在高压直流输电（HVDC）、工业高频加热设备中，为系统提供稳定的高压开关控制。

超级结 MOS 管（SJ-MOS）是 Ixys 艾赛斯在 MOS 管技术上的重大突破，通过 P 型与 N 型交替的外延层结构，突破了传统 MOS 管 “导通电阻 - 击穿电压” 的制约关系，实现高耐压与低导通损耗的双重优势。其电压等级覆盖 600V-1.2kV，电流至 200A，反向恢复电荷*为传统 MOS 管的 1/3，开关损耗降低 50% 以上。采用先进的平面栅设计与离子注入工艺，确保器件在高频工况下稳定运行，dv/dt 耐受能力可达 5000V/μs。在光伏逆变器、高频开关电源、不间断电源（UPS）等高频高效场景中，SJ-MOS 管成为提升系统能效的**器件。Ixys艾赛斯MOS管采用TO-247等主流封装，散热性能优异，便于在大功率设备中集成。

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。Ixys艾赛斯MOS管高温环境下仍保持稳定性能，结温耐受度高，适用于恶劣工业场景。IXYS艾赛斯IXFN26N120P

Ixys艾赛斯场效应管极低的反向恢复电荷，在整流电路中能减少谐波干扰，保障波形纯净。IXYS艾赛斯IXFN26N120P

Ixys 艾赛斯整流桥模块采用多元化封装技术适配不同应用场景，主流封装包括 DIP（双列直插）、SMD（表面贴装）、MODULE（模块型）与平板型（Press-Pack）。中小功率型号多采用 DIP/SMD 封装，体积小巧，适配小型电子设备；大功率型号则采用 MODULE 封装，内置直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，可快速导出芯片热量；高压大功率型号采用平板型封装，通过压力接触实现芯片与散热体的紧密连接，导热效率进一步提升。部分**型号集成温度传感器，可实时监测模块温度，配合外置散热系统实现智能温控。封装材料采用阻燃环氧树脂与无氧铜，通过 UL、IEC 认证，在 - 40℃至 150℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。IXYS艾赛斯IXFN26N120P