IXYS艾赛斯MMO140-08IO7

Ixys 艾赛斯模块封装技术经历了 “标准化 - 场景化 - 定制化” 的演进路径。早期以 TO 系列、MODULE 标准封装为主，满足通用场景需求；随后针对特定场景开发**封装，如为消费电子设计 SOP/QFN 小型化封装，为工业设备开发 SOT227B 紧凑型封装；如今则提供全维度定制服务，可根据客户需求调整引脚布局、散热方式、集成功能，甚至开发全新封装结构。例如为船舶电力系统定制耐盐雾腐蚀封装，为航空航天设备设计轻量化陶瓷金属封装，封装材料均通过 UL、IEC 认证，工作温度范围覆盖 - 55℃至 225℃。Ixys艾赛斯场效应管开关速度超快，纳秒级响应特性，适配高频电力转换场景。IXYS艾赛斯MMO140-08IO7

采用紧凑型 SOT227B（miniBLOC）封装的 Ixys 艾赛斯 IGBT 模块具有诸多明显优势。首先，其配备的螺丝端子设计十分人性化，方便用户进行电气连接，在安装和维护过程中操作简单便捷。其次，该封装采用 DCB 载板（直接铜键合）技术，实现了直接铜对陶瓷的键合，这种结构极大地优化了散热路径，具备*佳的散热性能，能够快速将模块工作时产生的热量散发出去，有效降低芯片温度，提高模块的可靠性和使用寿命。而且，该封装形式的模块获得了 UL 安全认证（E72873, E153432）并符合 RoHS 标准，在安全性和环保性上都有可靠保障。IXYS艾赛斯MMO140-08IO7Ixys艾赛斯其主要业务涵盖功率半导体、模块及系统解决方案，服务全球工业与新能源市场。

Ixys 艾赛斯肖特基二极管模块凭借金属 - 半导体接触的独特结构，具备零反向恢复电荷的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结二极管。模块采用先进的沟槽结构与贵金属接触技术，在降低正向导通电阻的同时，提升了耐高温性能与电流承载能力，部分型号可在 175℃高温环境下稳定工作。其反向耐压覆盖 45V-1200V，电流等级可达 300A 以上，且封装紧凑，散热效率优异。在低压大电流场景如 DC-DC 转换器、光伏逆变器续流回路中，该模块能***降低系统功耗，是实现高效能源转换的理想选择。

电力系统中无功功率失衡会导致电压波动、功率因数降低，影响电网稳定性与供电质量，Ixys 艾赛斯可控硅模块在静止无功补偿器（SVC）中实现动态无功调节。SVC 通过可控硅模块控制电抗器与电容器的投切，当电网无功不足时，投入电容器提供容性无功；当无功过剩时，投入电抗器吸收感性无功。模块的快速触发与关断特性（响应时间＜10ms）确保了无功补偿的实时性，可跟随电网负荷变化动态调整无功输出，使功率因数维持在 0.95 以上。在钢铁厂、变电站、新能源电站等场景，该模块提升了电网稳定性，降低了输电损耗与电费成本。Ixys艾赛斯以先进半导体技术为基石，艾赛斯在功率控制领域积累了数十年的专业经验。

高压 MOS 管是 Ixys 艾赛斯针对中高压电力系统开发的**产品，电压等级覆盖 1kV-10kV，电流范围 10A-500A，专为高压变频器、高压电源等场景设计。其采用先进的外延层堆叠技术与场板结构优化，通过增厚漂移区并精确控制掺杂浓度，实现超高击穿电压，同时降低导通电阻。部分型号集成反向恢复二极管，简化电路设计，且具备出色的 dv/dt 耐受能力，可抑制高压开关过程中的浪涌电压。封装采用强化绝缘的 MODULE 或 TO-247 形式，爬电距离符合国际高压标准，在高压直流输电（HVDC）、工业高频加热设备中，为系统提供稳定的高压开关控制。IXYS艾赛斯模块DCB载板封装加持，散热效率较传统基板大幅提升。IXYS艾赛斯MMO140-08IO7

Ixys艾赛斯IGBT的短路耐受能力，能抵御数微秒短路冲击，提升电力系统可靠性。IXYS艾赛斯MMO140-08IO7

Ixys 艾赛斯肖特基整流桥模块基于金属 - 半导体接触的肖特基势垒原理，具备零反向恢复电荷、低正向导通电压的**优势，从根本上消除了反向恢复损耗，开关速度远超传统 PN 结整流桥。模块采用贵金属（如铂、钯）接触与沟槽结构设计，提升了电流密度与耐高温性能，正向导通电压可低至 0.4V，反向耐压覆盖 50V-1200V，电流等级可达 300A。封装采用紧凑的表面贴装或 MODULE 形式，适配低压大电流场景的小型化设计需求。在 DC-DC 转换器、锂电池充电器、新能源汽车低压电源等场景中，肖特基整流桥模块能***降低电源损耗，提升能量转换效率，是实现高效电源设计的关键器件。IXYS艾赛斯MMO140-08IO7